3. Définitions de l'épitaxie de carbure de silicium
  • 3-1. grands défauts ponctuels

    2018-01-08

    défauts qui présentent une forme claire à l'oeil non assisté et sont & gt; 50 microns de diamètre ces caractéristiques comprennent des pointes, des particules adhérentes, des copeaux et des cratères. les gros défauts ponctuels espacés de moins de 3 mm comptent pour un défaut.

  • 3-2. rayures

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    des rainures ou des coupures en dessous du plan de surface de la plaquette ayant un rapport longueur / largeur supérieur à 5 à 1. Les rayures sont spécifiées par le nombre de rayures discrètes multiplié par la longueur totale en diamètre fractionnaire.

  • 3-3. fossette

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    une texture ressemblant à la surface d'une balle de golf. spécié dans% zone touchée.

  • 3-4. étape de groupage

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    le regroupement par pas est visible sous la forme d'un motif de lignes parallèles perpendiculaires au majeur  at. s'il est présent, estimer le% de la zone concernée.

  • 3-5. propreté arrière

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    vérifié en inspectant pour une couleur uniforme à l'arrière du wafer. Notez qu'il existe une région plus sombre près du centre de certaines plaquettes dopées. La propreté arrière est spécifiée en pourcentage de surface propre.

  • 3-6. copeaux de rive

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    zones où le matériau a été involontairement retiré de la plaquette. ne pas confondre les fractures dans la couronne epi avec les copeaux de bord.

  • 3-7. id correct et majeur plat de plaquette

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    les deux devraient être facilement discernables.

  • 3-8. Inclusions 3c

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    les régions où le step-ow était interrompu pendant la croissance de la couche epi. les régions typiques sont généralement triangulaires bien que des formes plus arrondies soient parfois vues. compter une fois par occurrence. deux inclusions de 200 microns comptent pour un.

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