2020-03-17
2020-03-09
cz-silicium
le silicium monocristallin cz fortement / légèrement dopé est adapté à la réalisation de divers circuits intégrés (ic), diodes, triodes, panneaux solaires à énergie verte. les éléments spéciaux (tels que ga, ge) peuvent être ajoutés pour produire les matériaux de cellules solaires à haute efficacité, résistant aux radiations et anti-dégénérescence pour les composants spéciaux.
cz silicium monocristallin
cz-silicium
le lourdement / légèrement dopé cz silicium monocristallin est adapté pour la production de divers circuits intégrés (ic), diodes, triodes, panneau solaire d'énergie verte. les éléments spéciaux (tels que ga, ge) peuvent être ajoutés pour produire les matériaux de cellules solaires à haute efficacité, résistant aux radiations et anti-dégénérescence pour les composants spéciaux.
mcz
le champ magnétique est utilisé dans le processus czochralski pour produire le cz silicium monocristallin avec les caractéristiques de faible teneur en oxygène et d'uniformité élevée de résistivité; la mcz silicium est approprié pour produire les matériaux de silicium pour divers ics, dispositifs discrets et batteries solaires à faible teneur en oxygène.
cz cristal fortement dopé
adoptant le dispositif de dopage spécial et le processus cz, le dopé lourd (p, sb, as) cz silicium monocristallin avec une résistivité très faible peut être produite, est principalement utilisé comme matériau de revêtement pour les tranches épitaxiées, et est utilisé pour produire les dispositifs électroniques spéciaux pour les alimentations de commutation lsi, les diodes schottky et les dispositifs électroniques de puissance à haute fréquence de contrôle de champ.
u0026 lt; 110 u0026 gt; orientation spéciale cz-silicium
la u0026 lt; 110 u0026 gt; de silicium monocristallin a l'orientation d'origine u0026 lt; 110 u0026 gt ;, le traitement supplémentaire pour le réglage de l'orientation est inutile; la u0026 lt; 110 u0026 gt; de silicium monocristallin a les caractéristiques de la structure cristalline parfaite, et de l'oxygène faible & contenu en carbone, est un nouveau matériau de cellule solaire et peut être utilisé le matériau de la nouvelle génération de cellules.
nos avantages en un coup d'œil
Équipement de croissance d'épitaxie 1.advanced et équipement d'essai.
2. offrir la meilleure qualité avec une faible densité de défauts et une bonne rugosité de surface.
Le soutien d'équipe de recherche 3.strong et le support de technologie pour nos clients
spécification de silicium monocristallin cz
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type |
type de conduction |
orientation |
diamètre (mm) |
conductivité (Ω • cm) |
|
cz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
1-300 |
|
mcz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
1-300 |
|
dopage lourd |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
0,001-1 |
spécification de plaquette
|
u0026 emsp; |
diamètre (mm) |
épaisseur (um) |
|
tranche |
76,2-200 |
≥ 160 |
fz-silicium le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la conductivité fz-silicium est habituellement supéri3
pam-xiamen offre plaquette factice / plaquette de test / plaquette de surveillance
plaquette épitaxiale de silicium (plaquette épi) est une couche de silicium monocristallin déposée sur une plaquette de silicium monocristallin (note: il est disponible pour faire croître une couche de silicium polycristallin sur une plaquette de silicium monocristallin fortement dopée, mais il faut couche tampon (telle que l'oxyde ou le poly-si) e3
fz plaquettes polies, principalement pour la production de silicium redresseur (sr), silicium commandé redresseur (scr), transistor géant (gtr), thyristor (gro)
la plaquette de gravure présente les caractéristiques de faible rugosité, de bonne brillance et de coût relativement faible, et substitue directement la plaquette polie ou plaquette épitaxiale qui a un coût relativement élevé pour produire les éléments électroniques dans certains domaines, afin de réduire les coûts. il y a les plaquettes de gravure3
fz-silicium le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la conductivité fz-silicium est habituellement supéri3
Les gabarits de pam-xiamen sont constitués de couches cristallines de nitrure de gallium (gan), de nitrure d'aluminium (aln), de nitrure d'aluminium gallium (algan) et de nitrure d'indium et de gallium (ingan) déposées sur des substrats de saphir, Les produits modèles en carbure de silicium ou silicium.pam-xiamen permettent des durées de cycle d'ép3
pam-xiamen propose des plaquettes de carbure de silicium semi-conducteur, 6h sic et 4h sic dans différentes qualités pour le chercheur et les fabricants de l'industrie. nous avons développé la technologie de croissance de cristal de sic et la technologie de traitement de gaufrette de cristal de sic, établi une ligne de production au substrat sic fa3
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