2020-03-17
2020-03-09
plaquette épitaxiale de silicium (plaquette épi) est une couche de silicium monocristallin déposée sur une plaquette de silicium monocristallin (note: il est disponible pour faire croître une couche de silicium polycristallin sur une plaquette de silicium monocristallin fortement dopée, mais il faut couche tampon (telle que l'oxyde ou le poly-si) entre le substrat de masse si et la couche épitaxiale supérieure)
plaquette de silicium épitaxiale
plaquette épitaxiale en silicium (plaquette épi) est une couche de silicium monocristallin déposée sur un monocristal plaquette de silicium (note: il est disponible pour faire croître une couche de couche de silicium polycristallin au-dessus d'une couche hautement cristalline dopée plaquette de silicium , mais il a besoin d'une couche tampon (telle que l'oxyde ou le poly-si) entre le substrat de masse et la couche épitaxiale supérieure)
la couche épitaxiale peut être dopée, au fur et à mesure de son dépôt, à la concentration de dopage précise tout en poursuivant la structure cristalline du substrat.
résistivité de couche épaisse: u003c1 ohm-cm jusqu'à 150 ohms-cm
épaisseur de l'épilateur: u0026 lt; 1 um jusqu'à 150 um
structure: n / n +, n- / n / n +, n / p / n +, n / n + / p-, n / p / p +, p / p +, p- / p / p +.
application de plaquette: appareils numériques, linéaires, de puissance, mos, bicmos.
nos avantages en un coup d'œil
Équipement de croissance d'épitaxie 1.advanced et équipement d'essai.
2. offrir la meilleure qualité avec une faible densité de défauts et une bonne rugosité de surface.
Le soutien d'équipe de recherche 3.strong et le support de technologie pour nos clients
6 "spécification de la plaquette:
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article |
u0026 emsp; |
spécification |
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substrat |
sous-spec. |
u0026 emsp; |
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croissance des lingots méthode |
cz |
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conductivité type |
n |
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dopant |
comme |
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orientation |
(100) ± 0,5 ° |
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résistivité |
≤ 0.005ohm.cm |
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rrg |
≤ 15% |
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[oi] contenu |
8 ~ 18 ppma |
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diamètre |
150 ± 0,2 mm |
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appartement primaire longueur |
55 ~ 60 mm |
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appartement primaire emplacement |
{110} ± 1 ° |
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d'autre part plat longueur |
semi |
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d'autre part plat emplacement |
semi |
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épaisseur |
625 ± 15 um |
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arrière caractéristiques: |
u0026 emsp; |
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1 , bsd / poly-si (a) |
1.bsd |
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2 , sio2 |
2.lto: 5000 ± 500 a |
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3 , exclusion de bord |
3.ee:0.6 mm |
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marquage au laser |
aucun |
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surface frontale |
miroir poli |
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épi |
structure |
n / n + |
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dopant |
phos |
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épaisseur |
3 ± 0,2 um |
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thk.uniformity |
≤ 5% |
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la mesure position |
centre (1 pt) 10mm du bord (4 pts @ 90 degrés) |
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calcul |
[tmax-tmin] ÷ [[tmax + tmin] x 100% |
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résistivité |
2,5 ± 0,2 ohm.cm |
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|
res.uniformity |
≤ 5% |
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|
la mesure position |
centre (1 pt) 10mm du bord (4 pts @ 90 degrés) |
|
|
calcul |
[rmax-rmin] ÷ [[rmax + rmin] x 100% |
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erreur de pile densité |
≤ 2 ( ea / cm2 ) |
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brume |
aucun |
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rayures |
aucun |
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des cratères , épluchure d'orange , |
aucun |
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couronne de bord |
≤ Epaisseur 1/3 epi |
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glissement (mm) |
longueur totale ≤ 1dia |
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matières étrangères |
aucun |
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surface arrière contamination |
aucun |
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point total défauts (particule) |
≤ 30@0.3um |
fz-silicium le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la conductivité fz-silicium est habituellement supéri3
pam-xiamen offre plaquette factice / plaquette de test / plaquette de surveillance
cz-silicium le silicium monocristallin cz fortement / légèrement dopé est adapté à la réalisation de divers circuits intégrés (ic), diodes, triodes, panneaux solaires à énergie verte. les éléments spéciaux (tels que ga, ge) peuvent être ajoutés pour produire les matériaux de cellules solaires à haute efficacité, résistant aux radiations et anti-dég3
fz plaquettes polies, principalement pour la production de silicium redresseur (sr), silicium commandé redresseur (scr), transistor géant (gtr), thyristor (gro)
la plaquette de gravure présente les caractéristiques de faible rugosité, de bonne brillance et de coût relativement faible, et substitue directement la plaquette polie ou plaquette épitaxiale qui a un coût relativement élevé pour produire les éléments électroniques dans certains domaines, afin de réduire les coûts. il y a les plaquettes de gravure3
En raison de ses propriétés physiques et électroniques, le dispositif à base de carbure de silicium convient bien aux dispositifs électroniques optoélectroniques à courte longueur d'onde, à haute température, résistants aux radiations et haute puissance / haute fréquence, par rapport aux dispositifs à base de si et gaas.
fz-silicium le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la conductivité fz-silicium est habituellement supéri3
Les gabarits de pam-xiamen sont constitués de couches cristallines de nitrure de gallium (gan), de nitrure d'aluminium (aln), de nitrure d'aluminium gallium (algan) et de nitrure d'indium et de gallium (ingan) déposées sur des substrats de saphir, Les produits modèles en carbure de silicium ou silicium.pam-xiamen permettent des durées de cycle d'ép3
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