xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
l'antimoniure d'indium (insb) est un composé cristallin fabriqué à partir des éléments indium (in) et antimoine (sb). c'est un matériau semi-conducteur à faible ouverture du groupe iii-v utilisé dans les détecteurs infrarouges, y compris les caméras d'imagerie thermique, les systèmes de flir, les systèmes de guidage de missiles à tête infrarouge, et en astronomie infrarouge. les détecteurs d'antimoniure d'indium sont sensibles entre 1 et 5 μm de longueur d'onde. l'antimoniure d'indium était un détecteur très commun dans les anciens systèmes d'imagerie thermique à un seul détecteur et à balayage mécanique. une autre application est une source de rayonnement térahertz car elle est un puissant émetteur photo-dember.
| spécification de plaquette | |
| article | Caractéristiques |
| diamètre de la plaquette | 2 "50.5 ± 0.5mm 3 "76.2 ± 0.4mm 4 "1000.0 ± 0.5mm |
| orientation cristalline | 2 "(111) aorb ± 0.1 ° 3 "(111) aorb ± 0.1 ° 4 "(111) aorb ± 0.1 ° |
| épaisseur | 2 "625 ± 25um 3 "800 ou 900 ± 25um 4 "1000 ± 25um |
| longueur plate primaire | 2 "16 ± 2mm 3 "22 ± 2mm 4 "32.5 ± 2.5mm |
| longueur plate secondaire | 2 "8 ± 1mm 3 "11 ± 1mm 4 "18 ± 1mm |
| finition de surface | p / e, p / p |
| paquet | epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf |
| spécifications électriques et de dopage | |||||
| type de conduction | n-type | n-type | n-type | n-type | p-type |
| dopant | non dopé | tellure | tellure faible | tellure élevé | Genmanium |
| e.d.p cm -2 | 2 "3" 4 " ≤ 50 | 2 " ≤ 100 | |||
| mobilité cm² v -1 s -1 | ≥ 4 * 105 | ≥ 2,5 * 10 4 | ≥ 2,5 * 105 | non précisé | 8000-4000 |
| concentration de porteurs cm -3 | 5 * 10 13 -3 * 10 14 | ( 1-7 ) *dix 17 | 4 * 10 14 -2 * 10 15 | ≥ 1 * 10 18 | 5 * 10 14 -3 * 10 15 |
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
Les gabarits de pam-xiamen sont constitués de couches cristallines de nitrure de gallium (gan), de nitrure d'aluminium (aln), de nitrure d'aluminium gallium (algan) et de nitrure d'indium et de gallium (ingan) déposées sur des substrats de saphir, Les produits modèles en carbure de silicium ou silicium.pam-xiamen permettent des durées de cycle d'ép3
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
Le tellurure de cadmium et de zinc (cdznte ou czt) est un nouveau semi-conducteur qui permet de convertir efficacement les radiations en électrons. Il est principalement utilisé dans les substrats d'épitaxie à couche mince, les détecteurs de rayons X et de rayons gamma, la modulation optique laser, cellules solaires de performance et d'autres domai3
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