2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
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1xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
l'antimoniure d'indium (insb) est un composé cristallin fabriqué à partir des éléments indium (in) et antimoine (sb). c'est un matériau semi-conducteur à faible ouverture du groupe iii-v utilisé dans les détecteurs infrarouges, y compris les caméras d'imagerie thermique, les systèmes de flir, les systèmes de guidage de missiles à tête infrarouge, et en astronomie infrarouge. les détecteurs d'antimoniure d'indium sont sensibles entre 1 et 5 μm de longueur d'onde. l'antimoniure d'indium était un détecteur très commun dans les anciens systèmes d'imagerie thermique à un seul détecteur et à balayage mécanique. une autre application est une source de rayonnement térahertz car elle est un puissant émetteur photo-dember.
| spécification de plaquette | |
| article | Caractéristiques |
| diamètre de la plaquette | 2 "50.5 ± 0.5mm 3 "76.2 ± 0.4mm 4 "1000.0 ± 0.5mm |
| orientation cristalline | 2 "(111) aorb ± 0.1 ° 3 "(111) aorb ± 0.1 ° 4 "(111) aorb ± 0.1 ° |
| épaisseur | 2 "625 ± 25um 3 "800 ou 900 ± 25um 4 "1000 ± 25um |
| longueur plate primaire | 2 "16 ± 2mm 3 "22 ± 2mm 4 "32.5 ± 2.5mm |
| longueur plate secondaire | 2 "8 ± 1mm 3 "11 ± 1mm 4 "18 ± 1mm |
| finition de surface | p / e, p / p |
| paquet | epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf |
| spécifications électriques et de dopage | |||||
| type de conduction | n-type | n-type | n-type | n-type | p-type |
| dopant | non dopé | tellure | tellure faible | tellure élevé | Genmanium |
| e.d.p cm -2 | 2 "3" 4 " ≤ 50 | 2 " ≤ 100 | |||
| mobilité cm² v -1 s -1 | ≥ 4 * 105 | ≥ 2,5 * 10 4 | ≥ 2,5 * 105 | non précisé | 8000-4000 |
| concentration de porteurs cm -3 | 5 * 10 13 -3 * 10 14 | ( 1-7 ) *dix 17 | 4 * 10 14 -2 * 10 15 | ≥ 1 * 10 18 | 5 * 10 14 -3 * 10 15 |
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
pwam développe et fabrique des substrats semi-conducteurs composés de cristaux d'arséniure de gallium et wafer.we a utilisé une technologie avancée de croissance cristalline, congélation verticale gradient (vgf) et gaas gaufrage technologie de traitement, établi une ligne de production de croissance de cristal, de coupe, de broyage à polissage une 3
pam-xiamen a établi la technologie de fabrication de la plaquette de substrat gan (nitrure de gallium) autoportante, qui est pour uhb-led et ld. développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur (hvpe), notre substrat gan a une faible densité de défauts.
Les gabarits de pam-xiamen sont constitués de couches cristallines de nitrure de gallium (gan), de nitrure d'aluminium (aln), de nitrure d'aluminium gallium (algan) et de nitrure d'indium et de gallium (ingan) déposées sur des substrats de saphir, Les produits modèles en carbure de silicium ou silicium.pam-xiamen permettent des durées de cycle d'ép3
Nous fabriquons divers types de matériaux semi-conducteurs dopés au silicium de type n dopés à l'épi wafer iii-v à base de ga, al, in, as et p cultivés par mbe ou mocvd. nous fournissons des structures personnalisées pour répondre aux spécifications des clients. s'il vous plaît nous contacter pour plus d'informations.
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