2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
le phosphure d'indium (inp) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. il a une structure cristalline cubique à faces centrées ("blende de zinc"), identique à celle des gaas et de la plupart des semiconducteurs iii-v. Le phosphure d'indium peut être préparé à partir de la réaction du phosphore blanc et de l'iodure d'indium. ° c., [5] également par combinaison directe des éléments purifiés à haute température et pression, ou par décomposition thermique d'un mélange d'un composé de trialkylindium et de phosphure. inp est utilisé dans l'électronique de haute puissance et de haute fréquence [citation nécessaire] en raison de sa vitesse électronique supérieure par rapport aux semi-conducteurs plus communs de silicium et d'arséniure de gallium.
| spécification de plaquette | |
| article | Caractéristiques |
| diamètre de la plaquette | 50.5 ± 0.4mm |
| orientation cristalline | (100) ± 0,1 ° |
| épaisseur | 350 ± 25um / 500 ± 25um |
| longueur plate primaire | 16 ± 2mm |
| longueur plate secondaire | 8 ± 1mm |
| finition de surface | p / e, p / p |
| paquet | epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf |
| spécifications électriques et de dopage | ||||||
| type de conduction | n-type | n-type | n-type | n-type | p-type | p-type |
| dopant | non dopé | le fer | étain | soufre | zinc | faible teneur en zinc |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| mobilité cm² v -1 s -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500-750 | 2000-1000 | non précisé | non précisé |
| concentration de porteurs cm -3 | ≤ dix 16 | semi-isolant | ( 7-40 ) *dix 17 | ( 1-10 ) *dix 18 | ( 1-6 ) *dix 18 | ( 1-6 ) *dix 1 |
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
Les gabarits de pam-xiamen sont constitués de couches cristallines de nitrure de gallium (gan), de nitrure d'aluminium (aln), de nitrure d'aluminium gallium (algan) et de nitrure d'indium et de gallium (ingan) déposées sur des substrats de saphir, Les produits modèles en carbure de silicium ou silicium.pam-xiamen permettent des durées de cycle d'ép3
La plaquette épitaxiale à base de gan (nitrure de gallium) de pam-xiamen est destinée à l'application de diodes électroluminescentes bleues et vertes à très haute luminosité (led) et de diodes laser (ld).
pam-xiamen a établi la technologie de fabrication de la plaquette de substrat gan (nitrure de gallium) autoportante, qui est pour uhb-led et ld. développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur (hvpe), notre substrat gan a une faible densité de défauts.
cz-silicium le silicium monocristallin cz fortement / légèrement dopé est adapté à la réalisation de divers circuits intégrés (ic), diodes, triodes, panneaux solaires à énergie verte. les éléments spéciaux (tels que ga, ge) peuvent être ajoutés pour produire les matériaux de cellules solaires à haute efficacité, résistant aux radiations et anti-dég3
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