2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
le phosphure d'indium (inp) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. il a une structure cristalline cubique à faces centrées ("blende de zinc"), identique à celle des gaas et de la plupart des semiconducteurs iii-v. Le phosphure d'indium peut être préparé à partir de la réaction du phosphore blanc et de l'iodure d'indium. ° c., [5] également par combinaison directe des éléments purifiés à haute température et pression, ou par décomposition thermique d'un mélange d'un composé de trialkylindium et de phosphure. inp est utilisé dans l'électronique de haute puissance et de haute fréquence [citation nécessaire] en raison de sa vitesse électronique supérieure par rapport aux semi-conducteurs plus communs de silicium et d'arséniure de gallium.
| spécification de plaquette | |
| article | Caractéristiques |
| diamètre de la plaquette | 50.5 ± 0.4mm |
| orientation cristalline | (100) ± 0,1 ° |
| épaisseur | 350 ± 25um / 500 ± 25um |
| longueur plate primaire | 16 ± 2mm |
| longueur plate secondaire | 8 ± 1mm |
| finition de surface | p / e, p / p |
| paquet | epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf |
| spécifications électriques et de dopage | ||||||
| type de conduction | n-type | n-type | n-type | n-type | p-type | p-type |
| dopant | non dopé | le fer | étain | soufre | zinc | faible teneur en zinc |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| mobilité cm² v -1 s -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500-750 | 2000-1000 | non précisé | non précisé |
| concentration de porteurs cm -3 | ≤ dix 16 | semi-isolant | ( 7-40 ) *dix 17 | ( 1-10 ) *dix 18 | ( 1-6 ) *dix 18 | ( 1-6 ) *dix 1 |
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
pam-xiamen offre une plaque de photorésist avec photoresist nous pouvons offrir la nanolithographie (photolithographie): préparation de surface, application de photorésist, cuisson douce, alignement, exposition, développement, cuisson dure, développement d'inspection, gravure, enlèvement de photorésist (bande), inspection finale.
pam-xiamen propose des plaquettes de carbure de silicium semi-conducteur, 6h sic et 4h sic dans différentes qualités pour le chercheur et les fabricants de l'industrie. nous avons développé la technologie de croissance de cristal de sic et la technologie de traitement de gaufrette de cristal de sic, établi une ligne de production au substrat sic fa3
pam-xiamen offre plaquette factice / plaquette de test / plaquette de surveillance
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
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