2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
l'antimoniure d'indium (insb) est un composé cristallin fabriqué à partir des éléments indium (in) et antimoine (sb). c'est un matériau semi-conducteur à faible ouverture du groupe iii-v utilisé dans les détecteurs infrarouges, y compris les caméras d'imagerie thermique, les systèmes de flir, les systèmes de guidage de missiles à tête infrarouge, et en astronomie infrarouge. les détecteurs d'antimoniure d'indium sont sensibles entre 1 et 5 μm de longueur d'onde. l'antimoniure d'indium était un détecteur très commun dans les anciens systèmes d'imagerie thermique à un seul détecteur et à balayage mécanique. une autre application est une source de rayonnement térahertz car elle est un puissant émetteur photo-dember.
| spécification de plaquette | |
| article | Caractéristiques |
| diamètre de la plaquette | 2 "50.5 ± 0.5mm 3 "76.2 ± 0.4mm 4 "1000.0 ± 0.5mm |
| orientation cristalline | 2 "(111) aorb ± 0.1 ° 3 "(111) aorb ± 0.1 ° 4 "(111) aorb ± 0.1 ° |
| épaisseur | 2 "625 ± 25um 3 "800 ou 900 ± 25um 4 "1000 ± 25um |
| longueur plate primaire | 2 "16 ± 2mm 3 "22 ± 2mm 4 "32.5 ± 2.5mm |
| longueur plate secondaire | 2 "8 ± 1mm 3 "11 ± 1mm 4 "18 ± 1mm |
| finition de surface | p / e, p / p |
| paquet | epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf |
| spécifications électriques et de dopage | |||||
| type de conduction | n-type | n-type | n-type | n-type | p-type |
| dopant | non dopé | tellure | tellure faible | tellure élevé | Genmanium |
| e.d.p cm -2 | 2 "3" 4 " ≤ 50 | 2 " ≤ 100 | |||
| mobilité cm² v -1 s -1 | ≥ 4 * 105 | ≥ 2,5 * 10 4 | ≥ 2,5 * 105 | non précisé | 8000-4000 |
| concentration de porteurs cm -3 | 5 * 10 13 -3 * 10 14 | ( 1-7 ) *dix 17 | 4 * 10 14 -2 * 10 15 | ≥ 1 * 10 18 | 5 * 10 14 -3 * 10 15 |
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
Nous fabriquons divers types de matériaux semi-conducteurs dopés au silicium de type n dopés à l'épi wafer iii-v à base de ga, al, in, as et p cultivés par mbe ou mocvd. nous fournissons des structures personnalisées pour répondre aux spécifications des clients. s'il vous plaît nous contacter pour plus d'informations.
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pam-xiamen a établi la technologie de fabrication de la plaquette de substrat gan (nitrure de gallium) autoportante, qui est pour uhb-led et ld. développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur (hvpe), notre substrat gan a une faible densité de défauts.
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