2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
le phosphure d'indium (inp) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. il a une structure cristalline cubique à faces centrées ("blende de zinc"), identique à celle des gaas et de la plupart des semiconducteurs iii-v. Le phosphure d'indium peut être préparé à partir de la réaction du phosphore blanc et de l'iodure d'indium. ° c., [5] également par combinaison directe des éléments purifiés à haute température et pression, ou par décomposition thermique d'un mélange d'un composé de trialkylindium et de phosphure. inp est utilisé dans l'électronique de haute puissance et de haute fréquence [citation nécessaire] en raison de sa vitesse électronique supérieure par rapport aux semi-conducteurs plus communs de silicium et d'arséniure de gallium.
| spécification de plaquette | |
| article | Caractéristiques |
| diamètre de la plaquette | 50.5 ± 0.4mm |
| orientation cristalline | (100) ± 0,1 ° |
| épaisseur | 350 ± 25um / 500 ± 25um |
| longueur plate primaire | 16 ± 2mm |
| longueur plate secondaire | 8 ± 1mm |
| finition de surface | p / e, p / p |
| paquet | epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf |
| spécifications électriques et de dopage | ||||||
| type de conduction | n-type | n-type | n-type | n-type | p-type | p-type |
| dopant | non dopé | le fer | étain | soufre | zinc | faible teneur en zinc |
| e.d.p cm -2 | ≤ 5000 | ≤ 5000 | ≤ 50000 | ≤ 1000 | ≤ 1000 | ≤ 5000 |
| mobilité cm² v -1 s -1 | ≥ 4200 | ≥ 1000 | 2500-750 | 2000-1000 | non précisé | non précisé |
| concentration de porteurs cm -3 | ≤ dix 16 | semi-isolant | ( 7-40 ) *dix 17 | ( 1-10 ) *dix 18 | ( 1-6 ) *dix 18 | ( 1-6 ) *dix 1 |
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
pam-xiamen offre une plaque de photorésist avec photoresist nous pouvons offrir la nanolithographie (photolithographie): préparation de surface, application de photorésist, cuisson douce, alignement, exposition, développement, cuisson dure, développement d'inspection, gravure, enlèvement de photorésist (bande), inspection finale.
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xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
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