2020-03-17
2020-03-09
fz plaquettes polies, principalement pour la production de silicium redresseur (sr), silicium commandé redresseur (scr), transistor géant (gtr), thyristor (gro)
plaquette polie
fz gaufrettes polies , principalement pour la production de redresseur de silicium (sr), redresseur contrôlé par silicium (scr), transistor géant (gtr), thyristor (gro)
nos avantages en un coup d'œil
Équipement de croissance d'épitaxie 1.advanced et équipement d'essai.
2. offrir la meilleure qualité avec une faible densité de défauts et une bonne rugosité de surface.
Le soutien d'équipe de recherche 3.strong et le support de technologie pour nos clients
Spécifications des plaquettes fz polies
|
type |
type de conduction |
orientation |
diamètre portée (mm) |
résistivité portée (Ω cm) |
géométrique granulation des paramètres, surface métallique |
|
fz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
u0026 gt; 1000 |
t ≥ 260 ( um ) ttv ≤ 2 ( um ) tir ≤ 2 ( um ) remuer ≤ 1 ( um ) (20 * 20) granulation ≤ 10 pcs ( ≥ 0.3um), ≤ 20 pcs ( ≥ 0.2um) surface métallique ≤ 5e10 / cm 2 bsd: densité etchpit u0026 gt; 1e106 pcs /cm 2 poly: 5000-12000 a |
|
ntdfz |
n |
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
30-800 |
|
|
cfz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
1-50 |
|
|
gdfz |
n & p |
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt; |
76,2-200 |
0,001-300 |
Spécifications des plaquettes cz polies
type
type de conduction
orientation
diamètre portée (mm)
résistivité portée (Ω cm)
géométrique granulation des paramètres, surface métallique
mcz
n & p
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
1-300
t ≥ 260 ( um ) ttv ≤ 2 ( um ) tir ≤ 2 ( um ) remuer ≤ 1 ( um ) (20 * 20) granulation ≤ 10 pcs ( ≥ 0.3um) , ≤ 20 pcs ( ≥ 0.2um) surface métallique ≤ 5e10 / cm 2 bsd: densité etchpit u0026 gt; 1e10 6pcs /cm 2 lto: 3500 ~ 8000 ± 250a
cz
n & p
u0026 lt; 100 u0026 gt; u0026 lt; 110 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
1-300
mcz lourdement dopé
n & p
u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;
76,2-200
0,001-1
fz-silicium le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la conductivité fz-silicium est habituellement supéri3
pam-xiamen offre plaquette factice / plaquette de test / plaquette de surveillance
cz-silicium le silicium monocristallin cz fortement / légèrement dopé est adapté à la réalisation de divers circuits intégrés (ic), diodes, triodes, panneaux solaires à énergie verte. les éléments spéciaux (tels que ga, ge) peuvent être ajoutés pour produire les matériaux de cellules solaires à haute efficacité, résistant aux radiations et anti-dég3
plaquette épitaxiale de silicium (plaquette épi) est une couche de silicium monocristallin déposée sur une plaquette de silicium monocristallin (note: il est disponible pour faire croître une couche de silicium polycristallin sur une plaquette de silicium monocristallin fortement dopée, mais il faut couche tampon (telle que l'oxyde ou le poly-si) e3
la plaquette de gravure présente les caractéristiques de faible rugosité, de bonne brillance et de coût relativement faible, et substitue directement la plaquette polie ou plaquette épitaxiale qui a un coût relativement élevé pour produire les éléments électroniques dans certains domaines, afin de réduire les coûts. il y a les plaquettes de gravure3
la plaquette de gravure présente les caractéristiques de faible rugosité, de bonne brillance et de coût relativement faible, et substitue directement la plaquette polie ou plaquette épitaxiale qui a un coût relativement élevé pour produire les éléments électroniques dans certains domaines, afin de réduire les coûts. il y a les plaquettes de gravure3
offres de pam-xiamen photomasques un masque photographique est un mince revêtement de matériau de masquage supporté par un substrat plus épais, et le matériau de masquage absorbe la lumière à des degrés variables et peut être modelé avec un design personnalisé. le motif est utilisé pour moduler la lumière et transférer le motif à travers le process3
Les nitrures de gallium (gan) (transistors à haute mobilité d'électrons) sont la prochaine génération de transistors de puissance. Grâce à la technologie gan, pam-xiamen offre maintenant une plaquette algan / gan hemt epi sur saphir ou silicone, et algan / gan sur saphir .
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