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xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).

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xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).


le phosphure d'indium (inp) est un semi-conducteur binaire composé d'indium et de phosphore. il a une structure cristalline cubique à faces centrées ("blende de zinc"), identique à celle des gaas et de la plupart des semiconducteurs iii-v. Le phosphure d'indium peut être préparé à partir de la réaction du phosphore blanc et de l'iodure d'indium. ° c., [5] également par combinaison directe des éléments purifiés à haute température et pression, ou par décomposition thermique d'un mélange d'un composé de trialkylindium et de phosphure. inp est utilisé dans l'électronique de haute puissance et de haute fréquence [citation nécessaire] en raison de sa vitesse électronique supérieure par rapport aux semi-conducteurs plus communs de silicium et d'arséniure de gallium.


spécification de plaquette
article Caractéristiques
diamètre de la plaquette 50.5 ± 0.4mm
orientation cristalline (100) ± 0,1 °
épaisseur 350 ± 25um / 500 ± 25um
longueur plate primaire 16 ± 2mm
longueur plate secondaire 8 ± 1mm
finition de surface p / e, p / p
paquet epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf


spécifications électriques et de dopage
type de conduction n-type n-type n-type n-type p-type p-type
dopant non dopé le fer étain soufre zinc faible teneur en zinc
e.d.p cm -2 5000 5000 50000 1000 1000 5000
mobilité cm² v -1 s -1 4200 1000 2500-750 2000-1000 non précisé non précisé
concentration de porteurs cm -3 dix 16 semi-isolant ( 7-40 ) *dix 17 ( 1-10 ) *dix 18 ( 1-6 ) *dix 18 ( 1-6 ) *dix 1

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