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pam-xiamen offre une plaque de photorésist avec photoresist


nous pouvons offrir la nanolithographie (photolithographie): préparation de surface, application de photorésist, cuisson douce, alignement, exposition, développement, cuisson dure, développement d'inspection, gravure, enlèvement de photorésist (bande), inspection finale.

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offres de pam-xiamen photorésist plaque avec photorésist


nous pouvons offrir nanolithographie ( photolithographie ):préparation de surface, photorésist appliquer, cuisson douce, alignement, exposition, développement, cuire dur, développer inspecter, graver, photorésist enlèvement (bande), inspection finale.


une photorésist est un matériau sensible à la lumière utilisé dans plusieurs processus, tels que photolithographie et photogravure, pour former un revêtement à motifs sur une surface, ce qui est crucial dans l'ensemble de l'industrie électronique.


une réserve positive est un type de photorésist dans lequel la partie du photorésist qui est exposé à la lumière devient soluble à la photorésist développeur. la partie non exposée de la photorésist reste insoluble à la photorésist développeur.


Un négatif photorésist est un type de photorésist dans lequel la partie du photorésist qui est exposé à la lumière devient insoluble à la photorésist développeur. la partie non exposée de la photorésist est dissous par le photorésist développeur.


basé sur la structure chimique de photorésists , ils peuvent être classés en trois types: photopolymère, photodécomposition, photoréticulation, photorésist .


applications:

impression par microcontact

fabrication de cartes de circuits imprimés (pcb)

modelage et gravure de substrats

microélectronique


photorésist microposite

futurrex

autre photorésists ,

s'il vous plaît nous contacter pour des informations détaillées


substrat substrat de silicium 2 "3" 4 "5" 6 "8"

substrat de quartz ssp / dsp

substrat de verre n / p

substrat sio2 100/110/111

autre substrat,

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différences entre résistance positive et négative

caractéristiques

positif

négatif

adhésion à  silicium

juste

excellent

coût relatif

plus cher

Moins cher

base de développeur

aqueux

biologique

solubilité dans  le développeur

région exposée  est soluble

région exposée  est insoluble

caractéristique minimum

0,5 μm

2 μm

pas de couverture

meilleur

inférieur

produit chimique humide  la résistance

juste

excellent


procédure de base

une seule itération de photolithographie combine plusieurs étapes dans l'ordre. les salles blanches modernes utilisent des systèmes automatisés et robotisés de suivi des plaquettes pour coordonner le processus. la procédure décrite ici omet certains traitements avancés, tels que les agents d'éclaircissage ou l'enlèvement des bourrelets.


nettoyage

si des contaminations organiques ou inorganiques sont présentes sur la surface de la tranche, elles sont habituellement éliminées par un traitement chimique par voie humide, par ex. la procédure de nettoyage propre basée sur des solutions contenant du peroxyde d'hydrogène. D'autres solutions faites avec du trichloréthylène, de l'acétone ou du méthanol peuvent également être utilisées pour nettoyer.


préparation

la plaquette est d'abord chauffée à une température suffisante pour chasser toute humidité qui peut être présente sur la surface de la plaquette, 150 ° C pendant dix minutes suffisent. les gaufrettes entreposées doivent être nettoyées chimiquement pour éliminer toute contamination. un "promoteur d'adhérence" liquide ou gazeux, tel que la bis (triméthylsilyl) amine ("hexaméthyldisilazane", hmds), est appliqué pour favoriser l'adhérence du photorésist à la plaquette. la couche superficielle de dioxyde de silicium sur la plaquette réagit avec les DDH pour former du dioxyde de silicium tri-méthylé, une couche hautement hydrofuge qui n'est pas sans rappeler la couche de cire sur la peinture d'une voiture. cette couche hydrofuge empêche le révélateur aqueux de pénétrer entre les photorésist couche et la surface de la plaquette, empêchant ainsi ce qu'on appelle le levage de petites photorésist structures dans le modèle (en développement). Afin d'assurer le développement de l'image, il est préférable de la recouvrir et de la placer sur une plaque chauffante et de la laisser sécher tout en stabilisant la température à 120 ° C.


photorésist application

la plaquette est recouverte de photorésist par revêtement par centrifugation. une solution liquide visqueuse de résine photosensible est distribuée sur la plaquette, et la plaquette est rapidement filée pour produire une couche uniformément épaisse. le revêtement par centrifugation tourne typiquement à 1200 à 4800 tr / min pendant 30 à 60 secondes, et produit une couche entre 0,5 et 2,5 micromètres d'épaisseur. le processus de revêtement par centrifugation se traduit par une couche mince uniforme, généralement avec une uniformité de 5 à 10 nanomètres. cette uniformité peut être expliquée par une modélisation fluide-mécanique détaillée, qui montre que la réserve se déplace beaucoup plus rapidement en haut de la couche qu'en bas, où les forces visqueuses lient la réserve à la surface de la tranche. ainsi, la couche supérieure de réserve est rapidement éjectée du bord de la plaquette tandis que la couche inférieure rampe toujours lentement radialement le long de la plaquette. de cette manière, toute «bosse» ou «crête» de resist est éliminée, laissant une couche très plate. l'épaisseur finale est également déterminée par l'évaporation des solvants liquides de la réserve. pour de très petites caractéristiques denses (u003c125 nm ou plus), des épaisseurs de résist inférieures (u003c0,5 micromètre) sont nécessaires pour surmonter les effets d'effondrement à des rapports d'aspect élevés; les proportions typiques sont u0026 lt; 4: 1.

la plaquette recouverte de photorésist est ensuite précuite pour chasser l'excès photorésist solvant, typiquement à 90 à 100 ° C pendant 30 à 60 secondes sur une plaque chauffante.


exposition et développement

après la pré-cuisson, le photorésist est exposée à un motif de lumière intense. l'exposition à la lumière provoque un changement chimique qui permet à certains des photorésist être retiré par une solution spéciale, appelée "développeur" par analogie avec le développeur photographique. positif photorésist , le type le plus commun, devient soluble dans le révélateur lorsqu'il est exposé; avec négatif photorésist , les régions non exposées sont solubles dans le révélateur.

une cuisson post-exposition (peb) est réalisée avant le développement, généralement pour aider à réduire les phénomènes d'ondes stationnaires causés par les modèles d'interférence destructive et constructive de la lumière incidente. dans la lithographie par ultraviolets profonds, on utilise une chimie de réserve chimiquement amplifiée (voiture). ce processus est beaucoup plus sensible au temps, à la température et au délai du peb, car la plus grande partie de la réaction d '«exposition» (créant un acide, rendant le polymère soluble dans le révélateur de base) se produit réellement dans le peb.

la chimie de développement est livré sur un fileur, un peu comme photorésist. les développeurs à l'origine contenaient souvent de l'hydroxyde de sodium (naoh). cependant, le sodium est considéré comme un contaminant extrêmement indésirable dans la fabrication de mosfet car il dégrade les propriétés isolantes des oxydes de grille (spécifiquement, les ions sodium peuvent migrer dans et hors de la grille, changeant la tension de seuil du transistor et rendant plus difficile le transistor au fil du temps). des révélateurs exempts de métaux tels que l'hydroxyde de tétraméthylammonium (tmah) sont maintenant utilisés.

la plaquette résultante est ensuite "durcie" si une réserve non amplifiée chimiquement a été utilisée, typiquement à 120 à 180 ° C [citation nécessaire] pendant 20 à 30 minutes. la cuisson dure solidifie le reste photorésist , pour faire une couche protectrice plus durable dans l'implantation d'ions future, la gravure chimique humide, ou la gravure plasma.


gravure

en gravure, un agent chimique liquide ("humide") ou plasma ("sec") enlève la couche supérieure du substrat dans les zones qui ne sont pas protégées par photorésist . dans la fabrication de semi-conducteurs, les techniques de gravure sèche sont généralement utilisées, car elles peuvent être rendues anisotropes, afin d'éviter une sous-cotation significative du photorésist modèle. ceci est essentiel lorsque la largeur des caractéristiques à définir est similaire ou inférieure à l'épaisseur du matériau à graver (c'est-à-dire lorsque le rapport d'aspect est proche de l'unité). les procédés de gravure humide sont généralement de nature isotrope, ce qui est souvent indispensable pour les systèmes microélectromécaniques, où les structures suspendues doivent être «libérées» de la couche sous-jacente.

le développement d'un procédé de gravure sèche anisotrope à faible défectivité a permis de transférer les caractéristiques de plus en plus petites, photolithographiées dans le vernis, au matériau du substrat.


photorésist suppression

après un photorésist n'est plus nécessaire, il doit être retiré du substrat. cela nécessite habituellement un "stripper" résistant aux liquides, qui modifie chimiquement la réserve de sorte qu'elle n'adhère plus au substrat. alternativement, photorésist peut être enlevé par un plasma contenant de l'oxygène, qui l'oxyde. ce processus est appelé cendres et ressemble à une gravure sèche. l'utilisation du solvant 1-méthyl-2-pyrrolidone (nmp) pour photorésist est une autre méthode utilisée pour supprimer une image. lorsque la réserve a été dissoute, le solvant peut être éliminé par chauffage à 80 ° C sans laisser de résidu.


microposit s1800 g2 série photorésist



négatif résister nr9-6000py



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