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Nous fabriquons divers types de matériaux semi-conducteurs dopés au silicium de type n dopés à l'épi wafer iii-v à base de ga, al, in, as et p cultivés par mbe ou mocvd. nous fournissons des structures personnalisées pour répondre aux spécifications des clients. s'il vous plaît nous contacter pour plus d'informations.


  • détails du produit

gaas epiwafer


Nous fabriquons divers types de matériaux semi-conducteurs dopés au silicium de type n dopés à l'épi wafer iii-v à base de ga, al, in, as et p cultivés par mbe ou mocvd. nous fournissons des structures personnalisées pour répondre aux spécifications des clients. s'il vous plaît nous contacter pour plus d'informations.

nous avons des nombres de gen2000 gen200 de l'état-unis, gen200 production à grande échelle de la ligne de production d'équipement épitaxiale, ensemble complet de xrd; pl-mapping; surfacescan, et d'autres équipements d'analyse et d'essai de classe mondiale. la société a plus de 12 000 mètres carrés d'installations de soutien, y compris des semi-conducteurs super-propres de classe mondiale et une recherche connexe et le développement de la jeune génération d'installations de laboratoire propres


spécification pour tous les produits nouveaux et en vedette de mbe iii-v composé semi-conducteur épi wafer:


matériau de substrat

capacité matérielle

application

gaas

gaas à basse température

thz

gaas

gaas / gaalas / gaas / gaas

diode schottky

inp

ingaas

détecteur de broche

inp

inp / inp / ingaasp / inp / ingaas

laser

gaas

gaas / alas / gaas

u0026 emsp;

inp

inp / inasp / ingaas / inasp

u0026 emsp;

gaas

gaas / ingaasn / algues

u0026 emsp;

/ gaas / algues

inp

inp / ingaas / inp

photodétecteurs

inp

inp / ingaas / inp

u0026 emsp;

inp

inp / ingaas

u0026 emsp;

gaas

gaas / ingap / gaas / alinp

cellule photovoltaïque

/ ingap / alinp / ingap / alinp

gaas

gaas / gainp / gainas / gaas / algues / galnp / galnas

cellule photovoltaïque

/ galnp / gaas / algues / allnp / galnp / allnp / galnas

inp

inp / gainp

u0026 emsp;

gaas

gaas / alinp

u0026 emsp;

gaas

gaas / algues / galnp / algues / gaas

703nm laser

gaas

gaas / algaas / gaas

u0026 emsp;

gaas

gaas / algaas / gaas / algues / gaas

hemt

gaas

gaas / alas / gaas / alas / gaas

Mhemt

gaas

gaas / dbr / algainp / mqw / algainp / écart

plaquette menée, éclairage à semi-conducteurs

gaas

gaas / galnp / algainp / gainp

635nm, 660nm, 808nm, 780nm, 785nm,

/ gaasp / gaas / gaas substrat

Laser 950nm, 1300nm, 1550nm

gaz

alsb / gainsb / inas

ir détecteur, broche, détection, ir cemera

silicium

inp ou gaas sur silicium

ic / microprocesseurs à haute vitesse

insb

béryllium dopé insb

u0026 emsp;

/ non dopé insb / te dopé insb /



Pour plus de détails, veuillez lire les éléments suivants:


couche d'epi lt-gaas sur substrat gaas


gaufrettes épitaxiales à diodes gaas schottky


ingaas / inp epi wafer pour épingle


ingaasp / ingaas sur des substrats inp

gaas / alas wafer

ingaasn épitaxialement sur des gaufrettes gaas ou inp


structure pour les photodétecteurs ingaas

inp / ingaas / inp epi wafer


gaufrette de structure ingaas

algap / gaas epi wafer pour cellule solaire

cellules solaires à triple jonction

gaas épitaxie

gainp / inp epi wafer

alinp / gaas epi wafer


structure de couche de laser 703nm

Gaufrettes laser 808 nm

Gaufrettes laser 780 nm

gaas pin épi wafer

gaas / algaas / gaas épi wafer

gaas base épitaxiale pour led et ld, s'il vous plaît voir ci-dessous desc.

algainp epi wafer

algainp jaune-vert / gaas a mené la plaquette: 565-575nm


gaas hemt epi wafer

gaas phemt epi wafer (gaas, algaas, ingaas), s'il vous plaît voir ci-dessous desc.

gaas mhemt epi wafer (mhemt: transistor à haute mobilité d'électrons métamorphique)

gaas hbt epi wafer (gaas hbt est un transistor à jonction bipolaire, composé d'au moins deux semiconducteurs différents, par technologie gaas.) transistor à effet de champ métal-semiconducteur (mesfet)


transistor à effet de champ à hétérojonction (hfet)

transistor à haute mobilité électronique (hemt)

transistor pseudomorphique à haute mobilité électronique (phemt)

diode de tunnel résonnante (RDT)

diode pin

dispositifs à effet Hall

diode à capacité variable (vcd)

maintenant nous listons quelques spécifications:


gaas hemt epi wafer, taille: 2 ~ 6 pouces

article

Caractéristiques

remarque

paramètre

Al  composition / dans la composition / résistance de la feuille

s'il vous plaît contactez  notre département technique

salle  mobilité / 2deg concentration

technologie de mesure

radiographie  diffraction / courant de Foucault

s'il vous plaît contactez  notre département technique

salle de non-contact

soupape typique

struture  dépendant

s'il vous plaît contactez  notre département technique

5000 ~ 6500cm 2 / v  · S / 0,5 ~ 1,0x 10 12 cm -2

la norme  tolérance

± 0,01 / ± 3% / aucun

s'il vous plaît contactez  notre département technique


gaas (arséniure de gallium) wafer de phemt epi , taille: 2 ~ 6 pouces

article

Caractéristiques

remarque

paramètre

Al  composition / dans la composition / résistance de la feuille

s'il vous plaît contactez  notre département technique

salle  mobilité / 2deg concentration

technologie de mesure

radiographie  diffraction / courant de Foucault

s'il vous plaît contactez  notre département technique

salle de non-contact

soupape typique

struture  dépendant

s'il vous plaît contactez  notre département technique

5000 ~ 6800cm 2 /v.s/2.0~3.4x10 12 cm -2

la norme  tolaerance

± 0,01 / ± 3% aucun

s'il vous plaît contactez  notre département technique

remarque: gaas phemt: comparé à gaas hemt, gaas phemt incorpore aussi inxga1-xas, où inxas ​​est contraint à x u0026 lt; 0,3 pour les appareils à base de gaas. structures croissées avec la même constante de réseau que hemt, mais différentes bandes interdites sont simplement appelées des treillis assortis en treillis.


gaas mhemt epi wafer, taille: 2 ~ 6 pouces

article

Caractéristiques

remarque

paramètre

dans  composition / résistance de feuille

s'il vous plaît contactez  notre département technique

salle  mobilité / 2deg concentration

technologie de mesure

radiographie  diffraction / courant de Foucault

s'il vous plaît contactez  notre département technique

salle de non-contact

soupape typique

struture  dépendant

s'il vous plaît contactez  notre département technique

8000 ~ 10000cm 2 / v  · S / 2.0 ~ 3.6x 10 12 cm -2

la norme  tolérance

± 3% / aucun

s'il vous plaît contactez  notre département technique


Inp hemt epi wafer, taille: 2 ~ 4 pouces

article

Caractéristiques

remarque

paramètre

dans  composition / résistance de feuille / mobilité de hall

s'il vous plaît contactez  notre département technique


remarque: gaas (arséniure de gallium) est un matériau semi-conducteur composé, un mélange de deux éléments, le gallium (ga) et l'arsenic (as). les utilisations de l'arséniure de gallium sont variées et comprennent l'utilisation dans les transistors led / ld, à effet de champ (fet) et les circuits intégrés (ics)


applications de l'appareil

commutateur rf

amplificateurs de puissance et à faible bruit

capteur de hall

modulateur optique

sans fil: téléphone portable ou stations de base

radar automobile

mmic, rfic

communications par fibre optique


gaas epi wafer pour led / ir serie:


1. description générale:

Méthode de croissance 1.1: mocvd

1,2 gaas epi wafer pour réseau sans fil

1.3 gaas épi wafer pour led / ir et ld / pd


2.epi wafer spécifications:

2.1 taille de la plaquette: 2 "de diamètre

2.2épi wafer structure (de haut en bas):

p + gaas

p-gap

p-algainp

mqw-algainp

n-algainp

dbr n-algaas / alas

tampon

substrat gaas


3.chip sepcification (base sur 9mil * 9mil chips)


3.1 paramètre

taille de la puce 9mil * 9mil

épaisseur 190 ± 10um

Diamètre de l'électrode 90um ± 5um


3.2 caractères optiques-électriques (ir = 20ma, 22 ℃)

longueur d'onde 620 ~ 625nm

tension directe 1.9 ~ 2.2 v

tension inverse ≥10v

courant inverse 0-1ua


3.3 caractères d'intensité lumineuse (ir = 20ma, 22 ℃)

iv (mcd) 80-140


3.4 epi wafer longueur

article

unité

rouge

jaune

vert jaunâtre

la description

longueur d'onde (λ )

nm

585,615,620 ~  630

587 ~ 592

568 ~ 573

je F = 20ma


méthodes de croissance: mocvd, mbe

épitaxie = croissance du film avec une relation cristallographique entre le film et le substrat homoépitaxie (autoépitaxie, isoépitaxie) = film et substrat sont même matériau hétéroépitaxie = film et substrat sont différents matériauxplease plus d'informations sur les méthodes de croissance, s'il vous plaît cliquez sur: http: // www .powerwaywafer.com / wafer-technology.html

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Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.
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