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substrat de gan autoportant

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substrat de gan autoportant

pam-xiamen a établi la technologie de fabrication de la plaquette de substrat gan (nitrure de gallium) autoportante, qui est pour uhb-led et ld. développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur (hvpe), notre substrat gan a une faible densité de défauts.
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substrat de gan autoportant


pam-xiamen a établi la technologie de fabrication pour substrat de gan autoportant (nitrure de gallium) plaquette qui est pour uhb-led et ld. Développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur hydrure (hvpe), notre substrat gan a une faible densité de défauts et une densité de défauts de macro moindre ou libre.

spécification de substrat de gan autoportant

ici montre la spécification de détail:

2 " substrat de gan autoportant (nitrure de gallium)

article

pam-fs-gan50-n

pam-fs-gan50-si

type de conduction

n-type

semi-isolant

Taille

2 "(50.8) +/- 1mm

épaisseur

300 +/- 50um

orientation

axe c (0001) +/- 0,5 o

appartement primaire  emplacement

(1-100) +/- 0,5 o

appartement primaire  longueur

16 +/- 1mm

appartement secondaire  emplacement

(11-20) +/- 3 o

appartement secondaire  longueur

8 +/- 1mm

résistivité (300k)

u0026 lt; 0,5Ω · cm

u0026 gt; 10 6 Ω · cm

dislocation  densité

u0026 lt; 5x10 6 cm-2

défaut de Marco  densité

une note u0026 lt; = 2cm -2 b  grade u0026 gt; 2 cm -2

ttv

u0026 lt; = 15um

arc

u0026 lt; = 20um

finition de surface

surface frontale: ra u0026 lt; 0.2nm.epi-ready  brillant

surface arrière: 1.fine moulu 2.rough grinded

zone utilisable≥ 90%




1,5 " substrat de gan autoportant

article

pam-fs-gan38-n

pam-fs-gan38-si

type de conduction

n-type

semi-isolant

Taille

1.5 "(38.1) +/- 0.5mm

épaisseur

260 +/- 20um

orientation

axe c (0001) +/- 0,5 o

appartement primaire  emplacement

(1-100) +/- 0,5 o

appartement primaire  longueur

12 +/- 1mm

appartement secondaire  emplacement

(11-20) +/- 3 o

appartement secondaire  longueur

6 +/- 1mm

résistivité (300k)

u0026 lt; 0,5Ω · cm

u0026 gt; 10 6 Ω · cm

dislocation  densité

u0026 lt; 5x10 6 cm-2

défaut de Marco  densité

une note u0026 lt; = 2cm -2 b  grade u0026 gt; 2 cm -2

ttv

u0026 lt; = 15um

arc

u0026 lt; = 20um

finition de surface

de face  surface: ra u0026 lt; 0.2nm.epi-ready poli

surface arrière: 1.fine moulu 2.rough grinded

zone utilisable≥ 90%


15mm, 10mm, 5mm substrat de gan autoportant

article

pam-fs-gan15-n  pam-fs-gan10-n pam-fs-gan5-n

pam-fs-gan15-si  pam-fs-gan10-si pam-fs-gan5-si

type de conduction

n-type

semi-isolant

Taille

14.0mm * 15mm 10.0mm * 10.5mm 5.0 * 5.5mm

épaisseur

230 +/- 20um,  280 +/- 20um

orientation

axe c (0001) +/- 0,5 o

appartement primaire  emplacement

u0026 emsp;

appartement primaire  longueur

u0026 emsp;

appartement secondaire  emplacement

u0026 emsp;

appartement secondaire  longueur

u0026 emsp;

résistivité (300k)

u0026 lt; 0,5Ω · cm

u0026 gt; 10 6 Ω · cm

dislocation  densité

u0026 lt; 5x10 6 cm-2

défaut de Marco  densité

0cm -2

ttv

u0026 lt; = 15um

arc

u0026 lt; = 20um

finition de surface

de face  surface: ra u0026 lt; 0.2nm.epi-ready poli

surface arrière: 1.fine moulu 2.rough grinded

zone utilisable≥ 90%


Remarque:

plaquette de validation : en considérant la commodité d'utilisation, l'offre de pam-xiamen 2 "gaufrette de validation de saphir pour la taille ci-dessous 2" substrat de gan autoportant


application de substrat gan


Éclairage à semi-conducteurs: les appareils gan sont utilisés comme diodes électroluminescentes (leds), téléviseurs, automobiles et éclairage général à très haute luminosité


stockage de DVD: diodes laser bleues

dispositif d'alimentation: les dispositifs gan sont utilisés comme composants divers dans l'électronique de puissance haute puissance et haute fréquence comme les stations de base cellulaires, les satellites, les amplificateurs de puissance et les onduleurs / convertisseurs pour véhicules électriques (ev) et hybrides électriques (hev). La faible sensibilité du gan aux rayonnements ionisants (comme les autres nitrures du groupe III) en fait un matériau approprié pour les applications spatiales telles que les réseaux de cellules solaires pour satellites et les dispositifs haute fréquence à haute fréquence pour les satellites de communication, météo et surveillance

idéal pour la repousse des nitrures iii

stations de base sans fil: transistors de puissance rf


accès haut débit sans fil: mmics haute fréquence, rf-circuits mmics


capteurs de pression: mems


capteurs de chaleur: détecteurs pyro-électriques


conditionnement de l'énergie: intégration du signal mixte gan / si


électronique automobile: électronique haute température

lignes de transmission de puissance: électronique haute tension


capteurs de cadre: détecteurs UV


Cellules solaires: la large bande interdite de Gan couvre le spectre solaire de 0,65 ev à 3,4 ev (ce qui représente pratiquement tout le spectre solaire), produisant du nitrure d'indium et de gallium

(ingan) alliages parfaits pour créer des cellules solaires. En raison de cet avantage, les cellules solaires ingan cultivées sur des substrats de gan sont sur le point de devenir l'une des nouvelles applications et un marché de croissance les plus importants pour les tranches de substrat gan.

idéal pour les ourlets, les fetos


Projet de diode gan schottky: nous acceptons les spécifications personnalisées de diodes schottky fabriquées sur des couches de nitrure de gallium (gan) autoportantes, de type n-et-p.

les deux contacts (ohmique et schottky) ont été déposés sur la surface supérieure en utilisant al / ti et pd / ti / au.

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