gaufrette épitaxiale de gan hemt

Gaufrettes épitaxiales gan hemt de 2 "

nous offrons 2 "gaufrettes gan hemt, la structure est la suivante:

structure (de haut en bas):

* chapeau de gan non dopé (2 ~ 3nm)

alxga1-xn (18 ~ 40nm)

aln (couche tampon)

gan non dopé (2 ~ 3um)

substrat de saphir

* nous pouvons utiliser si3n pour remplacer gan sur le dessus, l'adhérence est forte, elle est enduite par pulvérisation ou pecvd.

algan / gan hemt epi gaufrette sur saphir / gan

2 ", 4" algan / gan hemt epi wafer sur si

1.1spécifications pour le transistor à haute mobilité électronique (hemt) de nitrure de gallium / nitrure de gallium (algan) / nitrure de gallium (gan) sur substrat de silicium.

1.2.epistructure: epilayers sans fissures

1.3.les propriétés électriques de la structure algan / gan hemt

Mobilité 2deg (à 300 k): ≥1 800 cm2 / v.s

Densité de support de feuille de 2deg (à 300 k): ≥0.9x1013 cm-2

rugosité efficace (afm): ≤ 0,5 nm (surface de balayage 5,0 μm × 5,0 μm)

Algan / gan 2 "sur le saphir

pour la spécification d'algan / gan sur le modèle de saphir, veuillez contacter notre service commercial: sales@powerwaywafer.com.

application: utilisé dans les diodes laser bleues, les leds ultraviolettes (jusqu'à 250 nm), et le dispositif algan / gan hemts.

explication de l'algan / al / gan hemts:

Des couches de nitrure sont développées de manière intensive pour l'électronique de haute puissance dans les applications d'amplification à haute fréquence et de commutation de puissance. souvent une haute performance en fonctionnement en courant continu est perdue lorsque l'ourlet est commuté - par exemple, le courant sur le courant s'effondre lorsque le signal de porte est pulsé. on pense que de tels effets sont liés au piégeage de charge qui masque l'effet de la porte sur le flux de courant. des plaques de champ sur les électrodes de source et de grille ont été utilisées pour manipuler le champ électrique dans le dispositif, atténuant de tels phénomènes d'effondrement de courant.

gan epitaxialtechnology - épitaxie gan personnalisée sur substrats sic, si et saphir pour couvercles, leds:

classification associée:

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