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silicium monocristallin à zone flottante

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silicium monocristallin à zone flottante

silicium monocristallin à zone flottante

fz-silicium


le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la conductivité fz-silicium est habituellement supérieure à 1000 Ω-cm, et le fz-silicium est principalement utilisé pour produire les éléments à haute tension inverse et les dispositifs photoélectroniques.

  • détails du produit

silicium monocristallin à zone flottante


fz-silicium


le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la fz-silicium la conductivité est habituellement supérieure à 1000 Ω-cm, et le fz-silicium est principalement utilisé pour produire les éléments à haute tension inverse et les dispositifs photoélectroniques.


ntdfz-silicium


le silicium monocristallin à haute résistivité et uniformité peut être obtenu par irradiation neutronique de fz-silicium , pour assurer le rendement et l'uniformité des éléments produits, et est principalement utilisé pour produire le redresseur de silicium (sr), le contrôle de silicium (scr), le transistor géant (gtr), thyristor de gâchette (gto), thyristor d'induction statique ( sith), transistor bipolaire à isolant-grille (igbt), diode extra-hv (broche), puissance intelligente et puissance ic, etc. c'est le matériel fonctionnel principal pour divers convertisseurs de fréquence, redresseurs, éléments de commande de grande puissance, nouveaux dispositifs électroniques de puissance, détecteurs, capteurs, dispositifs photoélectroniques et dispositifs de puissance spéciaux.


gdfz-silicium


en utilisant le mécanisme de diffusion des matériaux étrangers, ajouter la matière étrangère en phase gazeuse pendant le processus de la zone de flottation de silicium monocristallin, pour résoudre le problème de dopage du processus de la zone de flottation de la racine, et d'obtenir le gdfz-silicium qui est de type n ou de type p, a une résistivité de 0,001 à 300 Ω.cm, une bonne uniformité de résistivité relative et une irradiation neutronique. il est applicable pour produire divers éléments de puissance de semi-conducteur, transistor bipolaire isolant-porte (igbt) et cellule solaire à haute efficacité, etc.


cfz-silicium


le silicium monocristallin est produit avec la combinaison des processus czochralski et float-zone, et a la qualité entre le silicium monocristallin cz et le silicium monocristallin fz; les éléments spéciaux peuvent être dopés, tels que le ga, ge et autres. les plaquettes solaires de silicium de nouvelle génération cfz sont meilleures que les différentes plaquettes de silicium dans l'industrie globale de pv sur chaque indice de performance; l'efficacité de conversion du panneau solaire est jusqu'à 24-26%. les produits sont principalement appliqués dans les batteries solaires à haute efficacité avec la structure spéciale, le contre-contact, le coup et d'autres processus spéciaux, et plus largement utilisés dans les produits menés, les éléments de puissance, l'automobile, le satellite et d'autres divers produits.


nos avantages en un coup d'œil

Équipement de croissance d'épitaxie 1.advanced et équipement d'essai.

2. offrir la meilleure qualité avec une faible densité de défauts et une bonne rugosité de surface.

Le soutien d'équipe de recherche 3.strong et le support de technologie pour nos clients


Spécification du silicium monocristallin fz

type

type de conduction

orientation

diamètre (mm)

conductivité (Ω • cm)

haute résistance

n & p

u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76,2-200

u0026 gt; 1000

ntd

n

u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76,2-200

30-800

cfz

n & p

u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76,2-200

1-50

gd

n & p

u0026 lt; 100 u0026 gt; & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76,2-200

0,001-300


spécification de plaquette

paramètre de lingot

article

la description

méthode de culture

fz

orientation

u0026 lt; 111 u0026 gt;

hors orientation

4 ± 0.5 degré à  le plus proche u0026 lt; 110 u0026 gt;

type / dopant

p / bore

résistivité

10-20 w.cm

rv

≤15% (max  bord-cen) / cen



paramètre de plaquette

article

la description

diamètre

150 ± 0,5 mm

épaisseur

675 ± 15 um

appartement primaire  longueur

57,5 ± 2,5 mm

appartement primaire  orientation

u0026 lt; 011 u0026 gt; ± 1  degré

appartement secondaire  longueur

aucun

appartement secondaire  orientation

aucun

ttv

≤5 um

arc

≤40 um

chaîne

≤40 um

profil de bord

semi standard

surface frontale

chimique-mécanique  polissage

lpd

≥0.3 um @ ≤15 pcs

surface arrière

acide gravé

copeaux de rive

aucun

paquet

Emballage sous vide;  plastique intérieur, aluminium extérieur

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