2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
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1xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
L'antimoniure de gallium (gasb) est un composé semi-conducteur de gallium et d'antimoine de la famille iii-v. il a une constante de réseau d'environ 0,61 nm. gasb peut être utilisé pour les détecteurs infrarouges, leds infrarouges et lasers et transistors, et systèmes thermophotovoltaïques.
spécification de plaquette
article
Caractéristiques
diamètre de la plaquette
2 "50.5 ± 0.5mm
3 "76.2 ± 0.4mm
4 "1000.0 ± 0.5mm
orientation cristalline
(100) ± 0,1 °
épaisseur
2 "500 ± 25um
3 "625 ± 25um
4 "1000 ± 25um
longueur plate primaire
2 "16 ± 2mm
3 "22 ± 2mm
4 "32.5 ± 2.5mm
longueur plate secondaire
2 "8 ± 1mm
3 "11 ± 1mm
4 "18 ± 1mm
finition de surface
p / e, p / p
paquet
epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf
| spécifications électriques et de dopage | |||||
| type de conduction | p-type | p-type | n-type | n-type | n-type |
| dopant | non dopé | zinc | tellure | tellure faible | tellure élevé |
| e.d.p cm -2 | 2 " ≤ 2000 3 " ≤ 5000 |
2 " ≤ 2000 3 " ≤ 5000 |
2 ", 3" ≤ 1000 4 " ≤ 2000 |
2 " ≤ 1000 3 ", 4" ≤ 2000 |
2, "3", 4 " ≤ 500 |
| mobilité cm² v -1 s -1 | ≥500 | 450-200 | 3500-2000 | 3500-2000 | 3500-2000 |
| concentration de porteurs cm -3 | ≤ 2 * 10 17 | ≥ 1 * 10 18 | ( 91-900 ) *dix 17 | ≤ 2 * 10 17 |
≥ 5 * 10 17 |
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
pam propose des matériaux semi-conducteurs, une plaquette de monocristal (ge) germanium cultivée par vgf / lec
la plaquette de gravure présente les caractéristiques de faible rugosité, de bonne brillance et de coût relativement faible, et substitue directement la plaquette polie ou plaquette épitaxiale qui a un coût relativement élevé pour produire les éléments électroniques dans certains domaines, afin de réduire les coûts. il y a les plaquettes de gravure3
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Les gabarits de pam-xiamen sont constitués de couches cristallines de nitrure de gallium (gan), de nitrure d'aluminium (aln), de nitrure d'aluminium gallium (algan) et de nitrure d'indium et de gallium (ingan) déposées sur des substrats de saphir, Les produits modèles en carbure de silicium ou silicium.pam-xiamen permettent des durées de cycle d'ép3
Informations de contact
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
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