2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
moq :
1xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
L'antimoniure de gallium (gasb) est un composé semi-conducteur de gallium et d'antimoine de la famille iii-v. il a une constante de réseau d'environ 0,61 nm. gasb peut être utilisé pour les détecteurs infrarouges, leds infrarouges et lasers et transistors, et systèmes thermophotovoltaïques.
spécification de plaquette
article
Caractéristiques
diamètre de la plaquette
2 "50.5 ± 0.5mm
3 "76.2 ± 0.4mm
4 "1000.0 ± 0.5mm
orientation cristalline
(100) ± 0,1 °
épaisseur
2 "500 ± 25um
3 "625 ± 25um
4 "1000 ± 25um
longueur plate primaire
2 "16 ± 2mm
3 "22 ± 2mm
4 "32.5 ± 2.5mm
longueur plate secondaire
2 "8 ± 1mm
3 "11 ± 1mm
4 "18 ± 1mm
finition de surface
p / e, p / p
paquet
epi-ready, récipient de plaquette unique ou cassette cf
| spécifications électriques et de dopage | |||||
| type de conduction | p-type | p-type | n-type | n-type | n-type |
| dopant | non dopé | zinc | tellure | tellure faible | tellure élevé |
| e.d.p cm -2 | 2 " ≤ 2000 3 " ≤ 5000 |
2 " ≤ 2000 3 " ≤ 5000 |
2 ", 3" ≤ 1000 4 " ≤ 2000 |
2 " ≤ 1000 3 ", 4" ≤ 2000 |
2, "3", 4 " ≤ 500 |
| mobilité cm² v -1 s -1 | ≥500 | 450-200 | 3500-2000 | 3500-2000 | 3500-2000 |
| concentration de porteurs cm -3 | ≤ 2 * 10 17 | ≥ 1 * 10 18 | ( 91-900 ) *dix 17 | ≤ 2 * 10 17 |
≥ 5 * 10 17 |
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
Le tellurure de cadmium et de zinc (cdznte ou czt) est un nouveau semi-conducteur qui permet de convertir efficacement les radiations en électrons. Il est principalement utilisé dans les substrats d'épitaxie à couche mince, les détecteurs de rayons X et de rayons gamma, la modulation optique laser, cellules solaires de performance et d'autres domai3
pam-xiamen propose des plaquettes de carbure de silicium semi-conducteur, 6h sic et 4h sic dans différentes qualités pour le chercheur et les fabricants de l'industrie. nous avons développé la technologie de croissance de cristal de sic et la technologie de traitement de gaufrette de cristal de sic, établi une ligne de production au substrat sic fa3
fz-silicium le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la conductivité fz-silicium est habituellement supéri3
pam-xiamen a établi la technologie de fabrication de la plaquette de substrat gan (nitrure de gallium) autoportante, qui est pour uhb-led et ld. développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur (hvpe), notre substrat gan a une faible densité de défauts.
Informations de contact
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
