2020-03-17
2020-03-09
pam-xiamen fournit des détecteurs basés par czt par la technologie de détecteur à semi-conducteurs pour la radiographie ou la gamma, qui a une meilleure résolution d'énergie comparée au détecteur à cristal de scintillation, y compris le détecteur planaire de czt, le détecteur czt pixellisé
détecteur de czt
Détecteur planaire 1.1czt
Caractéristiques
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hv |
+200 v ~ +500 v |
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gamme d'énergie |
20 kev ~ 200 kev |
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en fonctionnement écart de température |
-20 ℃ ~ 40 ℃ |
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Taille ( mm 3 ) |
5 × 5 × 2 |
10 × 10 × 2 |
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énergie résolution @ 59,5 kev |
compteur qualité |
u003e 15% |
u003e 15% |
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discriminateur qualité |
7% ~ 15% |
8% ~ 15% |
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spectromètre qualité |
u003c 7% |
u003c 8% |
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Remarque |
u0026 emsp; |
d'autres tailles peuvent aussi être disponible |
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assemblage standard 5 × 5 × 2mm 3 czt
assemblage standard 10 × 10 × 2mm 3 czt
Détecteur pixellisé de 1.2czt
Caractéristiques
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application |
spect , caméra γ |
radiographie imagerie |
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en fonctionnement écart de température |
-20 ℃ ~ 40 ℃ |
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énergie typique résolution |
u003c 6.5%@59.5 kev |
- |
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taux de comptage |
- |
u003e 2 m cps / pixel |
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matrice typique |
tableau de zone détecteur: 8 × 8 |
tableau de zone détecteur: 8 × 8 |
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tableau linéaire détecteur: 1 × 16 |
tableau linéaire détecteur: 1 × 16 |
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le maximum dimensions du cristal |
40 × 40 × 5 mm 3 |
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Remarque |
autre électrode modèle peut également être disponible |
u0026 emsp; |
ensemble de détecteur czt standard de 8 × 8 pixels
ensemble de détecteur czt standard de 8 × 8 pixels
Détecteurs de grille co-planaires 1.3czt
Caractéristiques
hv: +1000 v ~ + 3000v
gamme d'énergie: 50 kev ~ 3 mev
plage de température de fonctionnement: -20 ℃ ~ 40 ℃
résolution typique de l'énergie: u003c4% @ 662 kev
rapport pic-compton: 3 ~ 5
taille standard (mm 3): 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10
Détecteur hémisphérique de 1,4 czt
hv: +200 v ~ +1000 v plage de température de fonctionnement: -20 ℃ ~ 40 ℃
plage d'énergie: 50 kev ~ 3 mev résolution énergétique typique: u003c3% @ 662 kev
taille standard (mm 3): 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2,5, 10 × 10 × 5
Le tellurure de cadmium et de zinc (cdznte ou czt) est un nouveau semi-conducteur qui permet de convertir efficacement les radiations en électrons. Il est principalement utilisé dans les substrats d'épitaxie à couche mince, les détecteurs de rayons X et de rayons gamma, la modulation optique laser, cellules solaires de performance et d'autres domai3
Les gabarits de pam-xiamen sont constitués de couches cristallines de nitrure de gallium (gan), de nitrure d'aluminium (aln), de nitrure d'aluminium gallium (algan) et de nitrure d'indium et de gallium (ingan) déposées sur des substrats de saphir, Les produits modèles en carbure de silicium ou silicium.pam-xiamen permettent des durées de cycle d'ép3
La plaquette épitaxiale à base de gan (nitrure de gallium) de pam-xiamen est destinée à l'application de diodes électroluminescentes bleues et vertes à très haute luminosité (led) et de diodes laser (ld).
pwam développe et fabrique des substrats semi-conducteurs composés de cristaux d'arséniure de gallium et wafer.we a utilisé une technologie avancée de croissance cristalline, congélation verticale gradient (vgf) et gaas gaufrage technologie de traitement, établi une ligne de production de croissance de cristal, de coupe, de broyage à polissage une 3
offres de pam-xiamen photomasques un masque photographique est un mince revêtement de matériau de masquage supporté par un substrat plus épais, et le matériau de masquage absorbe la lumière à des degrés variables et peut être modelé avec un design personnalisé. le motif est utilisé pour moduler la lumière et transférer le motif à travers le process3
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)
plaquette épitaxiale de silicium (plaquette épi) est une couche de silicium monocristallin déposée sur une plaquette de silicium monocristallin (note: il est disponible pour faire croître une couche de silicium polycristallin sur une plaquette de silicium monocristallin fortement dopée, mais il faut couche tampon (telle que l'oxyde ou le poly-si) e3
Le tellurure de cadmium et de zinc (cdznte ou czt) est un nouveau semi-conducteur qui permet de convertir efficacement les radiations en électrons. Il est principalement utilisé dans les substrats d'épitaxie à couche mince, les détecteurs de rayons X et de rayons gamma, la modulation optique laser, cellules solaires de performance et d'autres domai3
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