lasers à diode directe ont certaines des caractéristiques les plus attrayantes de tout laser. ils sont très efficaces, compacts, polyvalents en longueur d'onde, peu coûteux et très fiables. Cependant, l'utilisation complète des lasers à diode directe n'a pas encore été réalisée. la mauvaise qualité de laser à diode faisceau lui-même, affecter directement ses domaines d'application, afin de mieux u...
nous rapportons la génération de microdécharges dans des dispositifs composés de microcristallinsdiamant. des décharges ont été générées dans des structures de dispositifs avec des géométries de décharge de cathode à micro-creux. une structure consistait en une plaquette de diamant isolante revêtue de deux couches de diamant dopées au bore. une deuxième structure consistait en une plaquette de dia...
c'est toujours un grand défi pour les dispositifs à base de semi-conducteurs d'obtenir un grand effet de magnétorésistance (mr) sous un champ magnétique faible à température ambiante. Dans cet article, les effets mr photoinduits sous différentes intensités d'éclairage à température ambiante sont étudiés dans un arséniure de gallium semi-isolant ( si-gaas ) basé sur ag / si-gaas / ag. l...
le processus pour diminuer la densité de dislocation en 3 pouces fe-dopé gaufrettes inp est décrit. le processus de croissance des cristaux est un czochralsky encapsulé liquide classique (lec) mais des écrans thermiques ont été ajoutés afin de diminuer le gradient thermique dans le cristal en croissance. la forme de ces écrans a été optimisée à l'aide de simulations numériques de transfert de ...
L'irradiation par faisceau d'ions a été examinée en tant que méthode de création de structures de piliers et de cônes semi-conducteurs à l'échelle nanométrique, mais présente l'inconvénient d'un placement imprécis des nanostructures. Nous rapportons une méthode de création et de modélisation à l'échelle nanométrique InAs des pics par irradiation par faisceau ionique focalis...
Nous présentons une méthode sans contact pour la détermination du temps de réponse thermique des capteurs de température intégrés dans des plaquettes. Dans cette méthode, une lampe flash éclaire un point de la plaquette en impulsions périodiques; la tache est du côté opposé au capteur testé. La constante de temps thermique du capteur est alors obtenue à partir de la mesure de sa réponse temporelle...
Une méthode d'imagerie non destructive sans contact pour la concentration de dopant à résolution spatiale, [2.2] N d, et la résistivité électrique, ρ, de tranches de silicium de type n et pà l'aide d'images de porteuse de verrouillage à différentes intensités d'irradiation laser est présenté. Des informations d'amplitude et de phase provenant de sites de plaquettes avec une résistivité connue ont ...
Les progrès récents dans la croissance épitaxiale des films de SiC sur Si sont passés en revue. Les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance des films de SiC sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films de SiC épitaxiéssur Si sont donnés. Il sera montré que la nouve...
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