une hétérojonction inas / si formée par un procédé de liaison par tranche humide avec une température de recuit de 350 ° C a été étudiée par microscopie électronique à transmission (tem). inas et si ont été observés comme étant uniformément liés sans aucun vide dans un champ de vision de 2 μm de long dans une image tem à fond clair. une image tem haute résolution a révélé que, entre leinaset ...
Nous rapportons la croissance par épitaxie par faisceau chimique assistée au sans-fil de nanofils de zincblende sans défaut. le cultivé insb les segments sont les sections supérieures des hétérostructures inas / insb sur les substrats inas (111) b. nous montrons, à travers l'analyse de hrtem, que zincblende insb peut être cultivé sans défauts cristallins tels que des failles d'empilement o...
Les segments inas ont été cultivés au sommet des îles Gaas, initialement créés par épitaxie de gouttelettes sur un substrat de silicium. nous avons systématiquement exploré l'espace des paramètres de croissance pour le dépôt des inas, en identifiant les conditions de la croissance sélective sur gaas et pour la croissance purement axiale. les segments axiaux ont été formés avec leurs parois tou...
L'irradiation par faisceau d'ions a été examinée en tant que méthode de création de structures de piliers et de cônes semi-conducteurs à l'échelle nanométrique, mais présente l'inconvénient d'un placement imprécis des nanostructures. Nous rapportons une méthode de création et de modélisation à l'échelle nanométrique InAs des pics par irradiation par faisceau ionique focalis...
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