Une méthode d'imagerie non destructive sans contact pour la concentration de dopant à résolution spatiale, [2.2] N d, et la résistivité électrique, ρ, de tranches de silicium de type n et pà l'aide d'images de porteuse de verrouillage à différentes intensités d'irradiation laser est présenté. Des informations d'amplitude et de phase provenant de sites de plaquettes avec une résistivité connue ont été utilisées pour dériver un facteur d'étalonnage pour une détermination précise du taux de génération de porteurs absolu. Un modèle de domaine fréquentiel basé sur la nature non linéaire des signaux radiométriques des photoporteurs a été utilisé pour extraire les images de densité de dopants. Les variations latérales de la résistivité d'une plaquette de type n et de type p obtenues au moyen de cette méthodologie se sont révélées être en excellent accord avec celles obtenues avec des mesures de sonde à 4 points classiques. Cette méthode tout optique sans contact peut être utilisée comme un outil non destructif pour les mesures de densité de dopage et de résistivité électrique et leurs images sur de grandes surfaces semi-conductrices. N d,

Source : IOPscience

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