Nous avons amélioré l'efficacité des antennes photoconductrices (PCA) en utilisant du GaAs développé à basse température (LT-GaAs). Nous avons constaté que les propriétés physiques des couches photoconductrices LT-GaAs affectent grandement les caractéristiques de génération et de détection des ondes térahertz (THz). En génération THz, la forte mobilité des porteurs photoexcités et la présence de quelques clusters d'As dans le LT-GaAs sont deux facteurs importants. En détection, courte durée de vie des porteurs et absence de structure polycristalline dans le LT-GaAssont des facteurs significatifs. En optimisant ces propriétés physiques, nous avons amélioré la plage dynamique totale de génération et de détection THz de 15 dB par rapport à celle obtenue par les PCA conventionnels disponibles dans le commerce. De plus, nous avons remplacé le substrat GaAs semi-isolant (SI-GaAs) par un substrat Si, qui a une faible absorption dans la région THz. Nous avons proposé une nouvelle idée consistant à inclure une couche tampon Al0.5Ga0.5As hautement isolante sur le substrat Si. Enfin, nous avons confirmé la faisabilité de la fabrication de PCA à l'aide de substrats Si.

Source : IOPscience

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