2020-03-17
2020-03-09
points forts • une matrice gan poreuse a été préparée par un procédé de gravure électrochimique et photoélectrochimique. • une structure de diode électroluminescente (led) ingan / gan a été envahie par le gabarit de gan gravé. • les films et leds de Gan envahis par la végétation ont montré une déformation plus faible et une densité plus faible des défauts de surface. • les structures LED envahies ont montré une efficacité d'électroluminescence améliorée. des gan poreux ont été préparés par gravure électrochimique combinée (ece) et par gravure photoélectrochimique du côté arrière (pece), suivis de la surcroissance de films gan et de structures de diodes électroluminescentes à puits quantiques multiples (mqw) ingan / gan. Les propriétés structurales, luminescentes et électriques des structures gan et led ont été étudiées et comparées aux propriétés des structures cultivées dans les mêmes conditions sur des gabarits non soumis à un traitement par e-pece. la surcroissance des structures dirigées sur les gabarits ece-pece a réduit la déformation, la fissuration et les micropits, conduisant à une augmentation de l'efficacité quantique interne et à une efficacité d'extraction de la lumière. cette amélioration de la luminescence a été observée dans des films de gan envahis, mais était plus prononcée pour les structures dirigées ingan / gan en raison de la suppression du champ de polarisation piézoélectrique dans qws. mots clés gravure électrochimique; gravure photo-électrochimique; Gan poreux; diodes électroluminescentes source: sciencedirect Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: www.powerwaywafer.com , envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
Les tranches de ge-cristal plastiquement déformées qui ont la forme cylindrique avec une grande courbure ont été caractérisées par diffraction des neutrons. la courbe de basculement en forme de boîte de la réflexion de bragg avec la largeur angulaire de Γbox≃2 ° dans fwhm, qui est observable dans la diffraction neutronique monochromatique, conduit à une augmentation de l'intensité (iθ) intégrée à l'angle. en outre, iθ augmente efficacement en empilant de telles tranches. au cours de la diffraction des neutrons blancs, la largeur du faisceau réfléchi près du point de focalisation devient plus nette que la largeur initiale du faisceau. de plus, la dépendance de la largeur du faisceau horizontal sur la distance entre l'échantillon et le détecteur est expliquée quantitativement en tenant compte de la grande Γbox, de la petite dispersion mosaïque de η≃0.1 ° et de l'épaisseur des plaquettes. Sur la base de ces caractérisations, l'utilisation de tranches de silicium déformées plastiquement en tant qu'éléments pour un monochromateur à neutrons à haute luminance est proposée. mots clés ge plaqué déformé plastiquement; cristal monochromateur à neutrons; focalisation du faisceau de neutrons source: sciencedirect Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web : www.powerwaywafer.com , envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
On rapporte des lasers à émission quantique à puissance quantique inganas / gaas à large bande de puissance élevée (qw) sur des substrats de gaas de 1200 nm. les couches épitaxiales des plaquettes laser inganas / gaas qw ont été cultivées sur des substrats n + -gaas en utilisant un dépôt chimique en phase vapeur organométallique (mocvd). l'épaisseur des couches inganas / gaas qw est de 70 Å / 1200 Å. la teneur en indium (x) des couches inxga1-xnyas1-y qw est estimée à 0,35-0,36, tandis que la teneur en azote (y) est estimée à 0,006-0,009. plus la teneur en indium (en) et la teneur en azote (n) dans la couche inganas qw permet l'émission laser jusqu'à 1300 nm. la qualité de la couche épitaxiale est cependant limitée par la déformation dans la couche développée. les appareils ont été réalisés avec des largeurs de crête différentes de 5 à 50 μm. une densité de courant seuil (jth) très basse de 80 a / cm2 a été obtenue pour le ld 50 μm x 500 μm. un certain nombre d'épi-gaufrettes d'inganas / gaas ont été transformées en ld de large zone. une puissance de sortie maximale de 95 mw a été mesurée pour les inganas / gaas qw lds à large zone. les variations dans les puissances de sortie des leds de large zone sont principalement dues aux défauts induits par les contraintes des couches de inganas qw. source: sciencedirect pour plus d'informations, s'il vous plaît visitez notre site Internet : www.powerwaywafer.com , envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
Dans le présent travail, les réseaux de dislocations sont étudiés dans des plaquettes de silicium cultivées en zone flottante (fz) par la technique de cartographie du courant induit par faisceau lumineux (lbic) à différentes longueurs d'onde et par spectroscopie transitoire de niveau profond (dlts). la technique Ibic semble être capable de reconnaître et de détecter ces réseaux et d'évaluer leur force de recombinaison. dans des plaquettes disloquées, une diffusion du phosphore atténue fortement le contraste lbique des dislocations, en fonction de la durée et de la température du traitement. l'activité électrique à température ambiante des défauts, encore physiquement présente, semble disparaître. Simultanément, l'intensité maximale des spectres dlts liés aux dislocations est réduite et cette évolution dépend de la température et de la durée de diffusion du phosphore. mots clés zone flottante; force de recombinaison; gaufrettes de silicium source: sciencedirect Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.powerwaywafer.com /, envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
silicium-sur-isolant (soi) wafer est l'une des plates-formes les plus attrayantes pour circuit intégré optique avec le potentiel de réaliser l'intégration à ultra grande échelle de haute performance (ulsi) et la miniaturisation de dispositif. Dans ce travail, basé sur des simulations pour obtenir des propriétés optiques appropriées d'une microcavité de silicium poreux (PSM), nous avons fabriqué avec succès une PSM sur plaquette par gravure électrochimique pour la détection d'adn à une longueur d'onde optique de 1555,0 nm. le pic de résonance étroit avec une largeur totale à mi-hauteur d'environ 26,0 nm dans le spectre de réflectance donne un facteur q élevé qui provoque une sensibilité élevée pour la performance de détection. la sensibilité de ce capteur est étudiée par hybridation de l'ADN de 19 paires de bases dans le PSM par modification de surface en utilisant une méthode de chimie réticulaire standard. le décalage vers le rouge des spectres de réflectance montre une bonne relation linéaire avec la concentration d'adn complémentaire, allant de 0,625 à 12,500 μm, et la limite de détection est de 43,9 nm. ce psm optique sur soi est très sensible, réactif, facile à fabriquer et peu coûteux, qui bénéficiera largement de développer un nouveau biocapteur sans étiquette optique sur soi-même et a un grand potentiel pour les biopuces basées sur des dispositifs optiques intégrés. points forts ► un biocapteur psm sensible sans étiquette sur la tranche de soi a été fabriqué par gravure électrochimique. ► par des simulations et des expériences, nous avons optimisé le biocapteur psm avec une valeur q élevée et une sensibilité élevée. ► ce biocapteur a été utilisé pour la détection d'adn et le décalage vers le rouge montre une bonne relation linéaire avec l'adn. ► ce psm optique sur soi pourrait être un grand potentiel pour les biopuces basées sur des dispositifs optiques intégrés. mots clés plaquette de silicium sur isolant; une microcavité de silicium poreuse; biosenseur d'ADN; haute sensibilité source: sciencedirect Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.powerwaywafer.com /, envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
points forts • tem et anguilles corrigées de l'aberration révèlent des profils structuraux et élémentaires à travers les interfaces de liaison gaas / si dans des cellules solaires à jonctions multiples gainp / gaas / si. • les fluctuations de la concentration élémentaire dans des couches d'interface amorphes d'épaisseur nanométrique, y compris les perturbations d'éléments légers, sont mesurées à l'aide d'anguilles. • les largeurs projetées des couches d'interface sont déterminées sur l'échelle atomique à partir des mesures tige-haadf. • les effets du traitement d'activation par faisceau d'ions et d'ions sur les interfaces de liaison sont évalués quantitativement à l'échelle nanométrique. • les mesures mettent en évidence l'importance de l'évaluation de l'influence des interfaces sur les caractéristiques courant-tension dans les cellules solaires multi-jonctions [5]. abstrait Des études de microscopie électronique à transmission à balayage à correction d'aberration (tige) et de spectroscopie de perte d'énergie électronique (anguilles) ont été appliquées pour étudier les fluctuations de structure et de composition près des interfaces dans des cellules solaires à jonction multiple. Les cellules solaires multi-jonctions sont particulièrement intéressantes car des rendements bien supérieurs à 40% ont été obtenus pour des cellules solaires à concentrateur qui sont basées sur des semiconducteurs composés iii-v. Dans cette étude méthodologiquement orientée, nous explorons le potentiel de combiner l'imagerie de tige à champ sombre annulaire corrigée par aberration (haadf-stem) avec des techniques spectroscopiques telles que les anguilles et la spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie (edxs). microscopie électronique à transmission de haute résolution (hr-tem), afin d'analyser les effets des traitements d'activation du faisceau d'atomes (fab) et du bombardement ionique (ib) sur la structure et la composition des interfaces de liaison des cellules solaires substrats. Les investigations utilisant des souches / anguilles sont capables de mesurer quantitativement et avec une grande précision les largeurs et les fluctuations des distributions d'éléments dans des couches d'interface amorphe d'extensions nanométriques, y compris celles d'éléments légers. de telles mesures permettent de contrôler les traitements d'activation et ainsi de supporter l'évaluation des phénomènes de conductivité électrique liés aux distributions d'impuretés et de dopants à proximité des interfaces pour une performance optimisée des cellules solaires. mots clés cellule solaire à plusieurs jonctions; liaison de plaquette; les interfaces; aberration corrigée tige / anguilles source: sciencedirect Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.powerwaywafer.com /, envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
des films cubiques sic (3c-sic) ont été déposés sur des substrats (111) si par une méthode de croissance triphasique vapeur-liquide-solide. dans un tel procédé, une fine couche de cuivre, qui a été évaporée sur le substrat avant la croissance, a été fondue à haute température à mesure que le flux et le méthane (source de carbone) était diffusé dans la couche liquide pour croissance de sic sur le substrat. le cuivre présentait de bonnes propriétés en tant que fondant, notamment une forte solubilité du silicium et du carbone, une faible température de croissance et une faible volatilité. des paramètres de croissance appropriés pour aller avec le flux de cuivre ont été identifiés, sous lesquels des films 3c-sic texturés (111) ont été cultivés. on a observé que de petits nombres de (220) grains étaient incorporés dans les films (111), qui étaient difficiles à éviter complètement. des piqûres de corrosion du cuivre fondu sur la surface du substrat peuvent servir de sites préférés pour la croissance de grains (220). mots clés ré. sic; épitaxie en phase liquide; couche mince source: sciencedirect Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.powerwaywafer.com /, envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
points forts • défauts nanométriques dans les matériaux iii-v, cultivés sur si ont été caractérisés avec cafm. • les défauts présentent une conductivité plus élevée. • la fonction de rectification de contact est masquée par un courant plus important sous la polarisation inverse. • échantillons à motifs fabriqués en utilisant piégeage ratio d'aspect ont également été caractérisés. abstrait la mise en œuvre de dispositifs à haute mobilité nécessite la croissance de matériaux iii-v sur des substrats de silicium. Cependant, en raison de la non-concordance de réseau entre ces matériaux, les semiconducteurs iii-v ont tendance à développer des défauts structurels affectant les caractéristiques électriques du dispositif. Dans cette étude, la technique cafm est utilisée pour l'identification et l'analyse de défauts à l'échelle nanométrique, en particulier les dislocations de filetage (td), les failles d'empilement (sf) et les anti-phases (apb) dans des matériaux iii-v sur silicium. Résumé graphique but: les défauts à l'échelle nanométrique, comme les dislocations de filetage (td), les défauts d'empilement (sf), entre autres, dans les matériaux iii-v cultivés sur des tranches de silicium ont été caractérisés en utilisant un cafm. les résultats présentés montrent que le café peut aider à identifier divers types de défauts structurels dans les matériaux iii-v, ainsi que de mesurer leur caractéristique conductrice. source: sciencedirect mots clés substrats à haute mobilité; iii-v semiconducteurs; enfiler des dislocations; cafm Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.powerwaywafer.com /, envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
Informations de contact
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
