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propriétés électriques et structurales de films gan et de diodes électroluminescentes gan / ingan cultivées sur des gabarits poreux fabriqués par gravure électrochimique et photoélectrochimique combinée

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propriétés électriques et structurales de films gan et de diodes électroluminescentes gan / ingan cultivées sur des gabarits poreux fabriqués par gravure électrochimique et photoélectrochimique combinée

2017-11-03

points forts

• une matrice gan poreuse a été préparée par un procédé de gravure électrochimique et photoélectrochimique.

• une structure de diode électroluminescente (led) ingan / gan a été envahie par le gabarit de gan gravé.

• les films et leds de Gan envahis par la végétation ont montré une déformation plus faible et une densité plus faible des défauts de surface.

• les structures LED envahies ont montré une efficacité d'électroluminescence améliorée.


des gan poreux ont été préparés par gravure électrochimique combinée (ece) et par gravure photoélectrochimique du côté arrière (pece), suivis de la surcroissance de films gan et de structures de diodes électroluminescentes à puits quantiques multiples (mqw) ingan / gan. Les propriétés structurales, luminescentes et électriques des structures gan et led ont été étudiées et comparées aux propriétés des structures cultivées dans les mêmes conditions sur des gabarits non soumis à un traitement par e-pece. la surcroissance des structures dirigées sur les gabarits ece-pece a réduit la déformation, la fissuration et les micropits, conduisant à une augmentation de l'efficacité quantique interne et à une efficacité d'extraction de la lumière. cette amélioration de la luminescence a été observée dans des films de gan envahis, mais était plus prononcée pour les structures dirigées ingan / gan en raison de la suppression du champ de polarisation piézoélectrique dans qws.

mots clés

gravure électrochimique; gravure photo-électrochimique; Gan poreux; diodes électroluminescentes


source: sciencedirect


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