points forts

• nous avons fabriqué des hv algan / gan-on-si avec des électrodes de drain schottky et ohmique.

• nous examinons l'impact de la température sur les paramètres électriques des dispositifs fabriqués.

• l'utilisation de contacts de drain schottky augmente la tension de claquage de 505 à 900 v.

• les sd-hemts sont caractérisés par une augmentation plus faible de la température à la hausse.

abstrait

Dans ce travail, nous présentons les résultats de la caractérisation des paramètres électriques des transistors à haute mobilité d'électrons algan / gan à haute tension avec des électrodes de drain ohmiques et schottky sur des substrats de silicium. l'utilisation de contacts schottky-drain améliore la tension de claquage (vbr), qui était vbr = 900 v pour lgd = 20 μm contrairement à vbr = 505 v pour les contacts ohmiques-drain. les deux types de transistors présentent une densité de courant de drain de 500 ma / mm et un courant de fuite de 10 μa / mm. la caractérisation dépendant de la température révèle une diminution de la densité du courant de drain avec l'augmentation de la température. les cuvettes de drainage schottky sont caractérisées par une augmentation plus faible du ron (Δron = 250% à 200 ° c) par rapport aux contacts de drain ohmiques (Δron = 340% à 200 ° c) par rapport à la température ambiante due à la diminution de Réglez la tension des ourlets schottky-drain.

mots clés

algan / gan-on-silicium; dispositifs d'alimentation; hemt; vidange schottky

source: sciencedirect

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