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Trappage contrôlé de la barrière de défauts étendus dans le détecteur cdznte

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Trappage contrôlé de la barrière de défauts étendus dans le détecteur cdznte

2017-11-15

points forts

• le modèle de piégeage à barrière contrôlée a été développé autour de défauts étendus.

• la mobilité des électrons et la distribution des champs électroniques ont été déformées par la région d'épuisement des charges spatiales.

• les défauts étendus agissent comme une région activée par recombinaison.

• les relations entre les défauts étendus et la performance du détecteur ont été établies.

Des techniques de courant transitoire utilisant une source de particules alpha ont été utilisées pour étudier l'influence de défauts étendus sur le temps de dérive des électrons et la performance du détecteur de cristaux de cdznte. Différent du cas du piégeage à travers un défaut ponctuel isolé, un modèle de piégeage contrôlé par barrière a été utilisé pour expliquer le mécanisme de piégeage des porteurs au niveau des défauts étendus. l'effet de défauts étendus sur la photoconductance a été étudié par mesure du courant transitoire induit par faisceau laser (lbic). les résultats démontrent que la région de charge d'espace de déplétion de type schottky est induite au voisinage des défauts étendus, ce qui déforme davantage la distribution du champ électrique interne et affecte la trajectoire du porteur dans les cristaux de cdznte. la relation entre le temps de dérive des électrons et la performance du détecteur a été établie.


mots clés

ii-vi dispositifs semi-conducteurs; cdznte; piégeage contrôlé par barrière; défauts étendus


source: sciencedirect


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