points forts

• algan / gan hemt sur substrat sic est présenté pour améliorer le fonctionnement électrique.

• la région d'appauvrissement de la structure est modifiée à l'aide d'une porte à encastrement multiple.

• une structure de grille est proposée pour pouvoir contrôler l'épaisseur du canal.

• Les paramètres RF sont considérés et améliorés.

Dans cet article, un transistor à haute mobilité électronique (hemt) algan / gan haute performance sur des substrats sic est présenté pour améliorer le fonctionnement électrique avec la région d'appauvrissement modifiée en utilisant une porte à retrait multiple (mrg-hemt). l'idée de base est de changer la région de déplétion de la porte et une meilleure distribution du champ électrique dans le canal et d'améliorer la tension de claquage du dispositif. la porte proposée consiste en une porte inférieure et supérieure pour contrôler l'épaisseur du canal. De même, la charge de la région d'appauvrissement changera en raison de la porte optimisée. de plus, un métal entre la grille et le drain incluant les parties horizontales et verticales est utilisé pour mieux contrôler l'épaisseur du canal. la tension de claquage, la densité de puissance de sortie maximale, la fréquence de coupure, la fréquence d'oscillation maximale, le facteur de bruit minimum, le gain maximal disponible (mag) et le gain maximal stable (msg) sont des paramètres pris en compte. .

un transistor à haute mobilité électronique (hemt) algan / gan haute performance sur substrats sic est présenté pour améliorer le fonctionnement électrique avec la région d'appauvrissement modifiée.

mots clés

algan / aln / gan / sic hemt; champ électrique; région d'appauvrissement; applications RF

source: sciencedirect

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