2020-03-17
2020-03-09
Dans le présent travail, les réseaux de dislocations sont étudiés dans des plaquettes de silicium cultivées en zone flottante (fz) par la technique de cartographie du courant induit par faisceau lumineux (lbic) à différentes longueurs d'onde et par spectroscopie transitoire de niveau profond (dlts). la technique Ibic semble être capable de reconnaître et de détecter ces réseaux et d'évaluer leur force de recombinaison. dans des plaquettes disloquées, une diffusion du phosphore atténue fortement le contraste lbique des dislocations, en fonction de la durée et de la température du traitement. l'activité électrique à température ambiante des défauts, encore physiquement présente, semble disparaître. Simultanément, l'intensité maximale des spectres dlts liés aux dislocations est réduite et cette évolution dépend de la température et de la durée de diffusion du phosphore.
mots clés
zone flottante; force de recombinaison; gaufrettes de silicium
source: sciencedirect
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