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la surveillance des défauts dans les matériaux iii-v: une étude nanométrique

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la surveillance des défauts dans les matériaux iii-v: une étude nanométrique

2017-10-12

points forts

défauts nanométriques dans les matériaux iii-v, cultivés sur si ont été caractérisés avec cafm.

les défauts présentent une conductivité plus élevée.

la fonction de rectification de contact est masquée par un courant plus important sous la polarisation inverse.

échantillons à motifs fabriqués en utilisant piégeage ratio d'aspect ont également été caractérisés.

abstrait

la mise en œuvre de dispositifs à haute mobilité nécessite la croissance de matériaux iii-v sur des substrats de silicium. Cependant, en raison de la non-concordance de réseau entre ces matériaux, les semiconducteurs iii-v ont tendance à développer des défauts structurels affectant les caractéristiques électriques du dispositif. Dans cette étude, la technique cafm est utilisée pour l'identification et l'analyse de défauts à l'échelle nanométrique, en particulier les dislocations de filetage (td), les failles d'empilement (sf) et les anti-phases (apb) dans des matériaux iii-v sur silicium.

Résumé graphique

but: les défauts à l'échelle nanométrique, comme les dislocations de filetage (td), les défauts d'empilement (sf), entre autres, dans les matériaux iii-v cultivés sur des tranches de silicium ont été caractérisés en utilisant un cafm. les résultats présentés montrent que le café peut aider à identifier divers types de défauts structurels dans les matériaux iii-v, ainsi que de mesurer leur caractéristique conductrice.

Full-size image (26 K)




source: sciencedirect


mots clés

substrats à haute mobilité; iii-v semiconducteurs; enfiler des dislocations; cafm


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