2020-03-17
2020-03-09
Des hétérostructures alinn / gan ayant des teneurs en indium comprises entre 20% et 35% ont été cultivées par épitaxie en phase vapeur organométallique sur des substrats de silicium (1 1 1) de haute pureté. les échantillons ont été étudiés par spectroscopie photovoltage (pv), les différentes couches se distinguant par leurs différents bords d'absorption. les transitions de bord de bande proche deganet de si démontrer l'existence de régions de charge d'espace dans les couches de gan et le substrat si. en géométrie sandwich, le substrat si influence significativement les spectres pv qui sont fortement atténués par une illumination de lumière laser supplémentaire de 690 nm. la dépendance d'intensité et le comportement de saturation de la trempe suggèrent une recharge des défauts d'interface liés au si et au gan provoquant un effondrement des signaux pv correspondants dans la région de charge d'espace. à partir de mesures de microscopie potentielle de surface de balayage supplémentaires dans la configuration en biseau preuve supplémentaire de l'existence de différentes régions de charge d'espace à lagan / aln / siet les interfaces alinn / gan sont obtenues. les propriétés de l'hétérostructure si / germe / gan sont discutées en termes d'interface de couche gan de type si / n de type p générée par la diffusion d'atomes de si dans gan et d'atomes ga ou al dans le substrat si. source: iopscience Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web:http://www.semiconductorwafers.net, envoyez-nous un email àangel.ye@powerwaywafer.comoupowerwaymaterial@gmail.com
le détecteur de rayons X supraconducteur développé par aist, utilisé pour identifier n dopants à très faible concentration dans sic (à gauche) et sc-xafs installés à une ligne de faisceau de photon factory, kek (à droite) Des chercheurs ont mis au point un instrument de spectroscopie à structure fine d'absorption de rayons X (xafs) équipé d'un détecteur supraconducteur. avec l'instrument, les chercheurs ont réalisé, pour la première fois, une analyse de structure locale de dopants azotés (n) (atomes d'impuretés à très faible concentration), introduits par implantation ionique dans du carbure de silicium ( sic ), un semi-conducteur à large gap, et sont nécessaires pour que sic soit un semi-conducteur de type n. Les dispositifs de puissance à semi-conducteurs à large bande, qui permettent de réduire la perte de puissance, devraient contribuer à la suppression des émissions de CO2. Pour produire des dispositifs utilisant sic, l'un des matériaux semi-conducteurs à large intervalle typique, l'introduction de dopants par plantation ionique est nécessaire pour le contrôle des propriétés électriques. les atomes dopants doivent être situés dans le site de réseau particulier dans un cristal. Cependant, il n'y a pas eu de méthode d'analyse de la microstructure. sc-xafs a été utilisé pour mesurer les spectres xafs des n dopants à très faible concentration dans le cristal sic, et le site de substitution des n dopants a été déterminé par comparaison avec un calcul du premier principe. en plus de sic, sc-xafs peut être appliqué à des semiconducteurs à large gap tels que le nitrure de gallium ( gan ) et diamant, aimants pour moteurs à faible perte, dispositifs spintroniques, cellules solaires, etc. les résultats seront publiés en ligne dans des rapports scientifiques, une revue scientifique publiée par le groupe d'édition nature, le 14 novembre 2012 (heure du Royaume-Uni). sic a une bande interdite plus grande que celle des semiconducteurs généraux et possède d'excellentes propriétés, notamment la stabilité chimique, la dureté et la résistance à la chaleur. par conséquent, on s'attend à ce qu'il s'agisse d'un semiconducteur à faible consommation d'énergie de nouvelle génération pouvant fonctionner dans un environnement à haute température. ces dernières années, de grands substrats sic monocristallins sont devenus disponibles et des dispositifs tels que des diodes et des transistors sont apparus sur le marché; cependant, le dopage, qui est nécessaire pour produire des dispositifs avec le semi-conducteur, est encore imparfait, empêchant la sic d'utiliser pleinement ses propriétés intrinsèques d'économie d'énergie. radiographie caractéristique de l'oxygène (b) un exemple dela détection du dopant n dans une très faible concentration dans sic le fort pic deabondant c dans sic et le pic faible de n sont distinguables. dans l'insertionen (b), l'axe vertical est dans une échelle linéaire. il est clair que n existe dans untrès faible concentration. le dopage est un proce...
nous rapportons nos résultats sur inganas / gaas lasers à émission de surface à cavités verticales (vcsels) dans la plage de 1,3 μm. les structures épitaxiales ont été cultivées sur des substrats gaas (1 0 0) par dépôt chimique en phase vapeur organométallique (mocvd) ou par épitaxie par jets moléculaires (mbe). la composition en azote de inga (n) as / gaas la région active du puits quantique (qw) est 0-0.02. l'opération laser à ondes entretenues à température ambiante (rt cw) à grande longueur d'onde (jusqu'à 1,3 μm) a été réalisée pour des vésels cultivés en mbe et mocvd. pour des dispositifs développés en mocvd avec des réflecteurs de braggés distribués dopés n et p (dbrs), une puissance de sortie optique maximale de 0,74 mw a été mesurée pour des vcsels en0,36ga0,64n0,006as0,994 / gaas. une très faible valeur de 2,55 ka cm-2 a été obtenue pour les vésels inganas / gaas. les dispositifs développés mbe ont été faits avec une structure intracavité. Des vcsels multimode à haut rendement de 1,3 μm en 0,35ga0,65n0,02as0,98 / gaas avec une puissance de sortie de 1 mw ont été obtenus en mode rt cw. une valeur de 1,52 ka cm-2 a été obtenue pour les mcs cultivées dans 0,35ga0,65n0,02as0,98 / gaas vcsels, qui est la plus basse densité de courant de seuil rapportée. les caractéristiques d'émission des vésels d'inganas / gaas ont été mesurées et analysées. source: iopscience Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un email à angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
nous avons découvert un nouveau nitrure de silicium avec symétrie cubique formé dans le silicium à l'interface ta / si du système de film mince tan / ta / si (100) lorsque le plaquette de silicium a été recuit à 500 ou 600 ° c. le nitrure de silicium cubique s'est développé dans le cristal de silicium sous la forme d'une pyramide inverse après le processus de recuit. les plans limites de la pyramide inverse étaient les plans {111} du cristal de silicium. la relation d'orientation entre le nitrure de silicium et le cristal de silicium est cubique à cubique. la constante de réseau du nouveau nitrure de silicium est a = 0,5548 nm et est environ 2,2% plus grande que celle du cristal de silicium. source: iopscience Pour plus d'informations, s'il vous plaît visiteznotre site Web: http://www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un email à angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
crédit: esa, cc by-sa 3.0 igo un miroir solide mais léger pour l'espace, fabriqué à partir de carbure de silicium céramique, est soumis aux niveaux de température et de vide rencontrés en orbite. le miroir de 95 cm de diamètre se compose de trois pétales séparés fusionnés ensemble avant le meulage et le polissage. Le but de ce test, conduit pour esa par amos en Belgique, était de vérifier si la combinaison de joints induirait une distorsion optique lorsque la température du miroir serait proche de -150 ° c. un composé de silicium et de carbone, sic a été synthétisé en 1893 pour tenter de fabriquer des diamants artificiels. le résultat n'était pas si loin: aujourd'hui, sic est l'un des matériaux les plus connus, utilisé pour fabriquer des outils de coupe, des freins haute performance et même des gilets pare-balles. De nature cristalline, il est également utilisé pour la bijouterie. De petites quantités de sic ont été déterrées à l'intérieur des météorites - il est relativement commun dans l'espace profond. sa nature forte et légère en a fait un élément naturel pour les projets spatiaux d'origine humaine. esa a produit le plus grand miroir sic jamais voler dans l'espace pour le télescope herschel, lancé en 2009. à 3,5 m de diamètre, ce réflecteur avait deux fois la surface d'observation du télescope spatial hubble tout en ayant un tiers de sa masse. une fois maîtrisée par esa, la technologie sic a depuis été utilisée pour fabriquer une grande variété de miroirs spatiaux et de supports optiques, pour des missions telles que gaia, sentinel-2 et le télescope spatial james webb. source: phys.org Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un email à angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fournisseur leader de gaas epi wafer et d'autres produits et services connexes ont annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 2 \"& 4\" est sur la production de masse en 2010. ce nouveau produit représente un ajout naturel à la ligne de produits de pam-xiamen. dr. Shaka, a déclaré: \"Nous sommes heureux d'offrir gaas conduit épi wafer à nos clients, y compris beaucoup qui se développent mieux et plus fiable pour led rouge. il inclut la structure menée par algainp avec le puits multi quantique, y compris la couche de dbr pour l'industrie de puce menée, la gamme de longueur d'onde de 620nm à 780nm par mocvd. dans ce cas, algainp est utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes de couleur rouge, orange, verte et jaune à haute brillance, pour former la lumière émettant une hétérostructure. il est également utilisé pour fabriquer des lasers à diodes. La disponibilité améliore les processus de croissance et de gaufrage. »et« nos clients peuvent désormais bénéficier du rendement accru des dispositifs attendu lors du développement de transistors avancés sur un substrat carré. notre épitaxie dirigée est naturelle par les produits de nos efforts continus, actuellement nous sommes consacrés à développer en permanence des produits plus fiables. \" amélioration de pam-xiamen algainp a mené la structure la ligne de produits a bénéficié de la technologie forte. soutien de l'université native et du centre de laboratoire. maintenant nous vous montrons la spécification comme suit: p-gap p-algainp mqw-algainp n-algainp dbr n-algaas / alas tampon substrat gaas sur xiamen powerway avancé matériel co., ltd trouvé en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) est un important fabricant de matériau semi-conducteur composé en Chine. pam-xiamen développe des technologies avancées de croissance des cristaux et d'épitaxie, des procédés de fabrication, des substrats techniques et des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies de pam-xiamen permettent une fabrication plus performante et moins coûteuse des plaquettes semi-conductrices. à propos de gaas l'arséniure de gallium est utilisé dans la fabrication de dispositifs tels que des circuits intégrés hyperfréquences, des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences, des diodes électroluminescentes à infrarouge, des diodes laser, des cellules solaires et des fenêtres optiques. gaas est souvent utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale d'autres semi-conducteurs iii-v, y compris l'arséniure de gallium et d'indium, l'arséniure de gallium et d'aluminium et d'autres. certaines propriétés électroniques de l'arséniure de gallium sont supérieures à celles du silicium. il a une vitesse d'électrons saturée plus élevée et une plus grande mobilité des électrons, ce qui permet aux transistors d'arséniure de gallium de fonctionner à des fréquences supérieures à 250 ghz. Les appareils GAAS sont relativement insensibles à la surchauffe, en r...
schéma d'une structure alinn / gan dbr à 10 paires si dopée pour l'injection de courant vertical et (b) d'un profil de dopage si dans une paire de couches alinn / gan. crédit: japon société de physique appliquée (jsap) des chercheurs de l'université de Meijo et de l'université de Nagoya au Japon ont démontré une conception de gan lasers à émission de surface à cavité verticale (vcsels) qui fournissent une bonne conductivité électrique et qui se développent facilement. les résultats sont rapportés en physique appliquée expresse. cette recherche est présentée dans le numéro de novembre 2016 du bulletin jsap en ligne. \"Les lasers à émission de surface à cavité verticale à base de gan devraient être adoptés dans diverses applications, telles que les écrans à balayage rétinien, les phares adaptatifs et les systèmes de communication à grande vitesse à lumière visible\", explique tetsuya takeuchi et ses collègues. université et université de Nagoya au Japon dans leur dernier rapport. cependant, jusqu'à présent, les structures conçues pour commercialiser ces dispositifs ont de mauvaises propriétés de conduction, et les approches existantes pour améliorer la conductivité introduisent des complexités de fabrication alors que la performance est inhibée. Un rapport de Takeuchi et ses collègues a maintenant démontré une conception qui permet une bonne conduction et qui est facile à cultiver. Les vcsels utilisent généralement des structures appelées réflecteurs de bragage distribués pour fournir la réflectivité nécessaire à une cavité efficace qui permet au dispositif de lase. ces réflecteurs sont des couches alternées de matériaux ayant des indices de réfraction différents, ce qui conduit à une réflectivité très élevée. contacts intracavité peuvent aider à améliorer la mauvaise conductivité de gan vcsels, mais ils augmentent la taille de la cavité conduisant à un confinement optique médiocre, à des processus de fabrication complexes, à des densités de courant seuil élevées et à une faible efficacité de puissance d'entrée en sortie (c'est-à-dire l'efficacité de la pente). la faible conductivité dans les structures dbr est le résultat de charges de polarisation entre les couches de différents matériaux - alinn et gan. Pour surmonter les effets des charges de polarisation, takeuchi et ses collègues utilisaient des nitrures dopés au silicium et introduisaient un «dopage de modulation» dans les couches de la structure. les concentrations accrues de dopant de silicium aux interfaces aident à neutraliser les effets de polarisation. Les chercheurs de l'université de Meijo et Nagoya ont également mis au point une méthode pour accélérer le taux de croissance d'alinn à plus de 0,5 μm / h. le résultat est un vcsel à base de gan de 1,5λ avec un réflecteur de bragage distribué alinn / gan de type n qui a une réflectivité de crête supérieure à 99,9%, un courant de seuil de 2,6 ma, correspondant à une densité de courant de seuil de 5,2 ka / cm2, et une tension de fonctionne...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fournisseur leader de substrat sic semi-isolant de haute pureté et d'autres produits et services connexes ont annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 2 \"& 3\" \u0026 \"4\" sur la production de masse en 2017. ce nouveau produit représente un ajout naturel à la ligne de produits de pam-xiamen. dr. Shaka, a déclaré: \"Nous sommes heureux d'offrir substrat sic semi-isolant de haute pureté à nos clients. 4h substrats semi-isolants en carbure de silicium (sic) disponibles en orientation sur l'axe. La technologie unique de croissance des cristaux de htcvd est le facteur clé pour des produits plus purs combinant une résistivité élevée et uniforme avec une densité de défauts très faible. la disponibilité améliore les processus de croissance et de gaufrage des boules. »et« nos clients peuvent désormais bénéficier du rendement accru des dispositifs attendu lors du développement de transistors avancés sur un substrat carré. notre substrat sic semi-isolant de haute pureté sont naturels par les produits de nos efforts continus, actuellement nous sommes consacrés à développer continuellement des produits plus fiables. \"nous offrons des cristaux 4h-sic de haute pureté, semi-isolants (hpsi) avec des diamètres jusqu'à 100 mm, qui sont cultivés La technologie de sublimation sans l'élément intentionnel de niveau profond, tels que les dopants de vanadium, et les tranches découpées dans ces cristaux présentent des énergies d'activation homogènes proches du milieu et un comportement semi-isolant (si) thermiquement stable (\u003e 10 ^ 7 ohm-cm) La spectroscopie de masse ionique secondaire, la spectroscopie transitoire en profondeur, la spectroscopie optique d'admittance et les données de résonance paramagnétique électronique suggèrent que le comportement du si provient de plusieurs niveaux profonds associés à des défauts ponctuels intrinsèques et que les densités de micropipes dans les substrats hpsi comme valeur typique moyenne de 0,8 cm-2 dans des substrats de trois pouces de diamètre avec ttv = 1,7 um (valeur médiane), warp = 7,7 um (valeur médiane) et arc = -4,5 um (valeur médiane). amélioration de pam-xiamen substrat sic semi-isolant de haute pureté La gamme de produits a bénéficié d'une technologie solide, du soutien de l'université autochtone et du centre de laboratoire. maintenant nous vous montrons la spécification comme suit: hpsi, 4h semi-isolant sic, spécification de plaquette de 2 \" substrat propriété s4h-51-si-pwam-250 s4h-51-si-pwam-330 s4h-51-si-pwam-430 la description un B grade de production c / d qualité de recherche d qualité factice 4h semi-substrat polytype 4h diamètre (50,8 ± 0,38) mm épaisseur (250 ± 25) μm résistivité (rt) \u0026 gt; 1e5 Ω · cm surface rugosité \u0026 lt; 0,5 nm (si-face cmp epi-ready); \u0026 lt; 1 nm (poli optique c-face) fwhm a \u0026 lt; 30 arcsec b / c / d \u0026 lt; 50 arcsec micropipe densité a + ≤1cm-2 a≤10cm-2 b≤30cm-2 c≤50cm-2 d≤100cm-2 surface orienta...
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