xiamen powerway advanced material co., ltd., un fournisseur leader de gaas epi wafer et d'autres produits et services connexes ont annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 2 \"& 4\" est sur la production de masse en 2010. ce nouveau produit représente un ajout naturel à la ligne de produits de pam-xiamen.

dr. Shaka, a déclaré: \"Nous sommes heureux d'offrir gaas conduit épi wafer à nos clients, y compris beaucoup qui se développent mieux et plus fiable pour led rouge. il inclut la structure menée par algainp avec le puits multi quantique, y compris la couche de dbr pour l'industrie de puce menée, la gamme de longueur d'onde de 620nm à 780nm par mocvd. dans ce cas, algainp est utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes de couleur rouge, orange, verte et jaune à haute brillance, pour former la lumière émettant une hétérostructure. il est également utilisé pour fabriquer des lasers à diodes. La disponibilité améliore les processus de croissance et de gaufrage. »et« nos clients peuvent désormais bénéficier du rendement accru des dispositifs attendu lors du développement de transistors avancés sur un substrat carré. notre épitaxie dirigée est naturelle par les produits de nos efforts continus, actuellement nous sommes consacrés à développer en permanence des produits plus fiables. \"

amélioration de pam-xiamen algainp a mené la structure la ligne de produits a bénéficié de la technologie forte. soutien de l'université native et du centre de laboratoire.

maintenant nous vous montrons la spécification comme suit:

p-gap

p-algainp

mqw-algainp

n-algainp

dbr n-algaas / alas

tampon

substrat gaas

sur xiamen powerway avancé matériel co., ltd

trouvé en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) est un important fabricant de matériau semi-conducteur composé en Chine. pam-xiamen développe des technologies avancées de croissance des cristaux et d'épitaxie, des procédés de fabrication, des substrats techniques et des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies de pam-xiamen permettent une fabrication plus performante et moins coûteuse des plaquettes semi-conductrices.

à propos de gaas

l'arséniure de gallium est utilisé dans la fabrication de dispositifs tels que des circuits intégrés hyperfréquences, des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences, des diodes électroluminescentes à infrarouge, des diodes laser, des cellules solaires et des fenêtres optiques.

gaas est souvent utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale d'autres semi-conducteurs iii-v, y compris l'arséniure de gallium et d'indium, l'arséniure de gallium et d'aluminium et d'autres.

certaines propriétés électroniques de l'arséniure de gallium sont supérieures à celles du silicium. il a une vitesse d'électrons saturée plus élevée et une plus grande mobilité des électrons, ce qui permet aux transistors d'arséniure de gallium de fonctionner à des fréquences supérieures à 250 ghz. Les appareils GAAS sont relativement insensibles à la surchauffe, en raison de leur bande passante plus large, et ils tendent également à créer moins de bruit (perturbation dans un signal électrique) dans les circuits électroniques que les dispositifs en silicium, particulièrement aux hautes fréquences. ceci est le résultat de mobilités de porteurs plus élevées et de parasites parasitaires résistifs inférieurs. ces propriétés supérieures sont des raisons impérieuses d'utiliser les circuits gaas dans les téléphones mobiles, les communications par satellite, les liaisons point à point micro-ondes et les systèmes radar à plus haute fréquence. il est également utilisé dans la fabrication de diodes gunn pour la génération de micro-ondes.

Un autre avantage de GAAS est qu'il a une bande interdite directe, ce qui signifie qu'il peut être utilisé pour absorber et émettre de la lumière efficacement. le silicium a une bande interdite indirecte et est donc relativement pauvre à la lumière émettrice.

En tant que matériau à bande interdite large, avec une résistance résultante aux dommages causés par les rayonnements, gaas est un excellent matériau pour l'électronique spatiale et les fenêtres optiques dans les applications de forte puissance.

En raison de son large bandgap, les gaas purs sont très résistifs. Associée à une constante diélectrique élevée, cette propriété fait de GaAs un très bon substrat pour les circuits intégrés et contrairement à Si, elle assure une isolation naturelle entre les appareils et les circuits. ceci en a fait un matériau idéal pour les circuits intégrés micro-ondes monolithiques, mmics, où des composants passifs actifs et essentiels peuvent facilement être produits sur une seule tranche de gaas.

q & a

q: je suis à la recherche d'epiwafer led rouge. Fournissez-vous de tels produits?

si oui, quelle longueur d'onde, quelle taille de plaquette?

a: vous êtes les bienvenus, votre centre nous a déjà été commandé, et nous avons également reçu

des centaines de commandes d'universités dans le monde chaque année,

et maintenant s'il vous plaît voir ci-dessous: 4/2 \"rouge led épi-wafers 620 +/- 5nm

q: concernant la longueur d'onde quelle est la gamme disponible.

enfin, quel est le matériau susbtraté? Avez-vous une fiche de données?

Merci d'avance

a: il mesure 2 \", longueur d'onde: 620 +/- 5nm. le matériau du substrat est gaas.

p-gap

p-algainp

mqw-algainp

n-algainp

dbr n-algaas / alas

tampon

substrat gaas

q: j'ai une question, je comprends que 620 nm est la seule longueur d'onde disponible?

un: 620nm est disponible, 445-475nm et 510-530nm est également disponible

mots clés: gaas epi wafer, rouge conduit, algainp, algues, hélas,

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