Examen par gravure topographique et chimique aux rayons X de Si: monocristaux de Ge contenant 1,2 à 3,0% et 3,0% de Ge, ainsi que des mesures précises des paramètres de réseau, a été réalisée. Des contrastes de diffraction sous forme de «quasi-cercles» concentriques (probablement dus à la distribution non uniforme des atomes de Ge) ont été observés dans les topographes à projection. Les motifs de ...
Nous présentons une méthode sans contact pour la détermination du temps de réponse thermique des capteurs de température intégrés dans des plaquettes. Dans cette méthode, une lampe flash éclaire un point de la plaquette en impulsions périodiques; la tache est du côté opposé au capteur testé. La constante de temps thermique du capteur est alors obtenue à partir de la mesure de sa réponse temporelle...
En utilisant le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) à 13,56 MHz, une couche de germe est fabriquée au stade initial de croissance du microcristallin hydrogéné. silicium germanium (μc-Si1-xGex: H) i-layer. Les effets des processus d'ensemencement sur la croissance de µc-Si1-xGex: couches H et la performance de µc-Si1-xGex: H p-i-n cellules solaires à jonction unique sont é...
Expériences orthogonales de croissance de films GaSb sur Substrat GaAs ont été conçus et réalisés à l’aide d’un système LP-MOCVD (Metal-Chemical Chemical Vapor Deposition). Les cristallinités et les microstructures des films produits ont été comparées pour obtenir les paramètres de croissance optimaux. Il a été démontré que le film mince optimisé de GaSb avait une largeur totale étroite à la moiti...
Pour les matériaux homogènes, la méthode d'immersion par ultrasons, associée à un processus d'optimisation numérique basé principalement sur l'algorithme de Newton, permet la détermination de constantes élastiques pour divers matériaux composites synthétiques et naturels. Néanmoins, la procédure d'optimisation existante présente une limitation principale lorsque le matériau considé...
Les caractéristiques lasers dépendantes de la température de collage de la diode laser (LD) GaInAsP de 1,5 µm développée sur une Substrat InP ou Si substrat ont été obtenus avec succès. Nous avons fabriqué le InP substrat ou substrat de Si utilisant une technique de liaison hydrophile directe sur tranche à des températures de liaison de 350, 400 et 450 ° C, et GaInAsP déposé ou Double couche d'...
Une méthode d'imagerie non destructive sans contact pour la concentration de dopant à résolution spatiale, [2.2] N d, et la résistivité électrique, ρ, de tranches de silicium de type n et pà l'aide d'images de porteuse de verrouillage à différentes intensités d'irradiation laser est présenté. Des informations d'amplitude et de phase provenant de sites de plaquettes avec une résistivité connue ont ...
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