Examen par gravure topographique et chimique aux rayons X de Si: monocristaux de Ge contenant 1,2 à 3,0% et 3,0% de Ge, ainsi que des mesures précises des paramètres de réseau, a été réalisée. Des contrastes de diffraction sous forme de «quasi-cercles» concentriques (probablement dus à la distribution non uniforme des atomes de Ge) ont été observés dans les topographes à projection.

Les motifs de gravure ont révélé des bandes correspondant à des stries et des dislocations sous forme de creux de gravure. La région cristalline «centrale» centrale (sans striation) présentait un réseau cristallin fortement perturbé par les micro-défauts, comme l'a conclu l'analyse de la topographie en coupe. Les mesures des paramètres de réseau ont montré la non-uniformité de la distribution des Atomes de Ge à travers les échantillons.

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