2020-03-17
2020-03-09
Les films de carbone amorphe dopés au Co (aC:Co), déposés par dépôt laser pulsé, présentent des caractéristiques de contact pn et ohmique avec du GaAs à faible résistivité de type n (L-GaAs) et du GaAs semi-isolé à haute résistivité (S-GaAs). La photosensibilité augmente pour aC:Co/L-GaAs, tandis que l'inverse diminue pour l'hétérojonction aC:Co/S-GaAs, respectivement. De plus, la photosensibilité améliorée pour l'hétérojonction aC:Co/L-GaAs/Ag montre également un comportement de dépendance à la température de dépôt, et la température de dépôt optimale est d'environ 500 °C.
Source : IOPscience
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