Nous avons produit et caractérisé avec succès des films minces monocristallins de Ge sur des substrats de saphir (GeOS). Un tel modèle GeOS offre une alternative rentable aux substrats de germanium en vrac pour les applications où seule une fine couche de Ge (<2 µm) est nécessaire pour le fonctionnement du dispositif. Les modèles GeOS ont été réalisés en utilisant la technique Smart CutTM. Des gabarits GeOS de 100 mm de diamètre ont été fabriqués et caractérisés pour comparer la couche mince Gepropriétés avec le volume Ge. L'inspection des défauts de surface, le SEM, l'AFM, la gravure des défauts, la spectroscopie XRD et Raman ont tous été effectués. Les résultats obtenus pour chaque technique de caractérisation utilisée ont mis en évidence que les propriétés matérielles du film mince de Ge transféré étaient très proches de celles d'une référence massive de Ge. Une double hétérostructure épitaxiale AlGaInP/GaInP/AlGaInP a été développée sur le modèle GeOS pour démontrer la stabilité du modèle dans les conditions rencontrées dans la réalisation typique du dispositif. Le comportement photoluminescent de cette structure épitaxiale était presque identique à celui d'une structure similaire développée sur un substrat massif de Ge. Les matrices GeOS offrent donc une alternative viable aux substrats Ge massifs dans la fabrication de dispositifs dont le fonctionnement est compatible avec une structure en couches minces.

Source : IOPscience

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