Des épicouches de GaSb ont été développées sur du Si (001) en utilisant l'épitaxie par faisceau moléculaire via des points quantiques d'AlSb en tant que matrice d'inadéquation interfaciale (IMF) entre les substrats en Siet les épicouches de GaSb. L'effet de l'épaisseur du réseau IMF, de la température de croissance et du post-recuit sur la morphologie de surface, les propriétés structurelles et optiques du GaSb sur Si a été étudié. Parmi cinq épaisseurs de matrice IMF différentes (5, 10, 20, 40 et 80 ML) qui ont été utilisées dans cette étude, le meilleur résultat a été obtenu à partir de l'échantillon avec une matrice IMF AlSb de 20 ML. De plus, il a été constaté que bien que la pleine largeur à mi-hauteur (FWHM) et les densités de dislocation de filetage (TD) obtenues à partir de courbes de diffraction des rayons X à haute résolution puissent être améliorées en augmentant la température de croissance, une diminution du signal de photoluminescence (PL) et une augmentation de la rugosité de surface (RMS) est apparue. D'autre part, les résultats indiquent qu'en appliquant un post-recuit, la qualité cristalline de l'épicouche de GaSb peut être améliorée en termes de FWHM, densité TD, Signal PL ou RMS en fonction de la température de post-recuit. En appliquant un post-recuit à 570 ° C pendant 30 min, nous obtenons une valeur FWHM de 260 arcsec pour une épaisseur de 1 μmépicouche GaSb sur Si (001) et améliore l'intensité du signal PL sans détériorer la valeur RMS.

Source : IOPscience

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