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substrat sic
pam-xiamen propose des plaquettes de carbure de silicium semi-conducteur, 6h sic et 4h sic dans différentes qualités pour le chercheur et les fabricants de l'industrie. nous avons développé la technologie de croissance de cristal de sic et la technologie de traitement de gaufrette de cristal de sic, établi une ligne de production au substrat sic fabricant, qui est appliqué dans le dispositif d'épitaxie gan, les dispositifs de puissance, dispositif à haute température et dispositifs optoélectroniques. en tant que société professionnelle investie par les principaux fabricants des domaines de pointe et la recherche de matériel de haute technologie et les instituts d'état et le laboratoire de semi-conducteurs de la Chine, nous sommes consacrés à continuellement améliorer la qualité des substrats actuels et développer des substrats de grande taille.tags actifs : 4h sic 6h sic sic wafer plaquette de carbure de silicium substrat de carbure de silicium sic wafer prix
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sic épitaxie
nous fournissons une épitaxie sic sur film mince (carbure de silicium) sur des substrats de 6h ou 4h pour le développement de dispositifs en carbure de silicium. sic epi wafer est principalement utilisé pour les diodes schottky, les transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde de métal, les transistors à effet de champ de jonction, les transistors à jonction bipolaire, les thyristors, gto et bipolaire à grille isolée.tags actifs : sic épitaxie dépôt d'épitaxie plaquette d'épitaxie carbure de silicium sic diode
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application sic
En raison de ses propriétés physiques et électroniques, le dispositif à base de carbure de silicium convient bien aux dispositifs électroniques optoélectroniques à courte longueur d'onde, à haute température, résistants aux radiations et haute puissance / haute fréquence, par rapport aux dispositifs à base de si et gaas.tags actifs : application sic puce de plaquette plaquette etch propriétés du carbure de silicium mosfet de carbure de silicium
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silicium monocristallin à zone flottante
fz-silicium le silicium monocristallin présentant les caractéristiques de faible teneur en matières étrangères, de faible densité de défauts et de structure cristalline parfaite est produit avec le procédé à zone flottante; aucun corps étranger n'est introduit pendant la croissance des cristaux. la conductivité fz-silicium est habituellement supérieure à 1000 Ω-cm, et le fz-silicium est principalement utilisé pour produire les éléments à haute tension inverse et les dispositifs photoélectroniques.tags actifs : zone flottante fz silicium processus de zone flottante lingot de silicium plaquette de silice fabricants de lingots de silicium
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plaquette de test plaquette témoin plaquette
pam-xiamen offre plaquette factice / plaquette de test / plaquette de surveillancetags actifs : test de plaquette moniteur wafer plaquette factices substrat de silicium épaisseur de plaquette de silicium
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cz silicium monocristallin
cz-silicium le silicium monocristallin cz fortement / légèrement dopé est adapté à la réalisation de divers circuits intégrés (ic), diodes, triodes, panneaux solaires à énergie verte. les éléments spéciaux (tels que ga, ge) peuvent être ajoutés pour produire les matériaux de cellules solaires à haute efficacité, résistant aux radiations et anti-dégénérescence pour les composants spéciaux.tags actifs : prix de la plaquette de silicium gaufrettes soi wafer gaufrettes de silicium à vendre prix de la plaquette
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plaquette de silicium épitaxiale
plaquette épitaxiale de silicium (plaquette épi) est une couche de silicium monocristallin déposée sur une plaquette de silicium monocristallin (note: il est disponible pour faire croître une couche de silicium polycristallin sur une plaquette de silicium monocristallin fortement dopée, mais il faut couche tampon (telle que l'oxyde ou le poly-si) entre le substrat de masse si et la couche épitaxiale supérieure)tags actifs : plaquette de silicium epi plaquette de silicium épitaxiale fabricants de plaquettes épitaxiales epi wafer fabricant silicium sur isolant
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plaquette polie
fz plaquettes polies, principalement pour la production de silicium redresseur (sr), silicium commandé redresseur (scr), transistor géant (gtr), thyristor (gro)tags actifs : plaquette polie plaquette de silicium polie tranche la technologie mems électronique de plaquette matériau de silicium
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