maison /

chercher

chercher

vue :

  • blue laser

    gan templates

    Les gabarits de pam-xiamen sont constitués de couches cristallines de nitrure de gallium (gan), de nitrure d'aluminium (aln), de nitrure d'aluminium gallium (algan) et de nitrure d'indium et de gallium (ingan) déposées sur des substrats de saphir, Les produits modèles en carbure de silicium ou silicium.pam-xiamen permettent des durées de cycle d'épitaxie de 20 à 50% plus courtes et des couches épitaxiées de meilleure qualité, avec une meilleure qualité structurelle et une meilleure conductivité thermique, améliorant ainsi le coût, le rendement et les performances.

    tags actifs : gan templates gan sur sic hvpe gan laser vert algan gan sur le saphir

  • sic crystal

    substrat sic

    pam-xiamen propose des plaquettes de carbure de silicium semi-conducteur, 6h sic et 4h sic dans différentes qualités pour le chercheur et les fabricants de l'industrie. nous avons développé la technologie de croissance de cristal de sic et la technologie de traitement de gaufrette de cristal de sic, établi une ligne de production au substrat sic fabricant, qui est appliqué dans le dispositif d'épitaxie gan, les dispositifs de puissance, dispositif à haute température et dispositifs optoélectroniques. en tant que société professionnelle investie par les principaux fabricants des domaines de pointe et la recherche de matériel de haute technologie et les instituts d'état et le laboratoire de semi-conducteurs de la Chine, nous sommes consacrés à continuellement améliorer la qualité des substrats actuels et développer des substrats de grande taille.

    tags actifs : 4h sic 6h sic sic wafer plaquette de carbure de silicium substrat de carbure de silicium sic wafer prix

  • sic crystal

    sic épitaxie

    nous fournissons une épitaxie sic sur film mince (carbure de silicium) sur des substrats de 6h ou 4h pour le développement de dispositifs en carbure de silicium. sic epi wafer est principalement utilisé pour les diodes schottky, les transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde de métal, les transistors à effet de champ de jonction, les transistors à jonction bipolaire, les thyristors, gto et bipolaire à grille isolée.

    tags actifs : sic épitaxie dépôt d'épitaxie plaquette d'épitaxie carbure de silicium sic diode

  • sic wafer

    application sic

    En raison de ses propriétés physiques et électroniques, le dispositif à base de carbure de silicium convient bien aux dispositifs électroniques optoélectroniques à courte longueur d'onde, à haute température, résistants aux radiations et haute puissance / haute fréquence, par rapport aux dispositifs à base de si et gaas.

    tags actifs : application sic puce de plaquette plaquette etch propriétés du carbure de silicium mosfet de carbure de silicium

premier dernier
[  un total de  1  pages]

Contactez nous

Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.