Nous avons réalisé la croissance de zone sélective de GaN et fabriqué des MQW InGaN/GaN sur des substrats de GaN massifs non et semi-polaires par MOVPE. Les différences dans les structures de GaN et l'incorporation d'In des MQW InGaN/GaN cultivés sur des substrats de GaN non et semi-polaires ont été étudiées. Dans le cas de la croissance en zone sélective, différentes structures de GaN ont été obtenues sur des substrats de GaN, GaN et GaN. Un motif répétitif de et de facettes est apparu sur GaN. Ensuite, nous avons fabriqué des MQW InGaN/GaN sur les structures à facettes sur GaN. Les propriétés d'émission caractérisées par la cathodoluminescence étaient différentes pour et facettes. D'autre part, pour les MQW InGaN / GaN sur des substrats GaN non et semi-polaires, des étapes le long de l'axe a ont été observées par AFM. En particulier sur GaN, des ondulations et des regroupements d'ondulations sont apparus. La caractérisation de la photoluminescence a indiqué que l'incorporation d'In augmentait avec le décalage par rapport au plan m et dépendait également de la polarité.

Source : IOPscience

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