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Analyse de l'alignement des bandes de QWs GaInNAs riches en indium fortement contraints sur des substrats InP

2019-04-29

L'objectif de cet article est de présenter les calculs d'alignement de bande de puits quantiques Ga1−xInxNyAs1−y riches en indium (>53%) fortement contraints sur des substrats InP qui permettent une longueur d'onde d'émission de l'ordre de 2,3 µm. Nous nous concentrons sur l'alignement des bandes du réseau de puits Ga0.22In0.78N0.01As0.99 apparié aux barrières In0.52Al0.48As. Nos calculs montrent que l'incorporation d'azote dans Ga1−xInxAs améliore considérablement l'alignement des bandes permettant aux puits quantiques Ga0.22In0.78N0.01As0.99/In0.52Al0.48As sur les substrats InP de concurrencer l'alignement unique des bandes quantiques GaInNAs/GaAs. puits sur substrats GaAs .


Source : IOPscience

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