2020-03-17
2020-03-09
Les couches de ZnSe sont développées de manière hétéroépitaxiale sur des substrats découpés dans une tranche de GaAs(100) semi-isolante non dopée et développée par LEC le long du diamètre parallèle à l'axe [001]. Les intensités de photoluminescence à exciton libre et de diffraction des rayons X des couches de ZnSe montrent un profil en forme de M le long du diamètre de la tranche de GaAs et sont inversement corrélées à la distribution de densité de gravure de la tranche de GaAs. Cette observation donne, pour la première fois, la preuve expérimentale que la qualité des couches hétéroépitaxiales de ZnSe développées par des techniques épitaxiales récentes peut être limitée par la qualité des substrats de GaAs .
Source : IOPscience
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