Nous avons étudié les propriétés structurales et électriques d'épicouches InAsxSb1−x développées sur des substrats GaAs(0 0 1) par épitaxie à paroi chaude . Les épicouches ont été développées sur une couche graduée InAsSb et une couche tampon InSb . La composition en arsenic (x) de l'épicouche InAsxSb1−x a été calculée à l'aide de la diffraction des rayons X et s'est avérée être de 0,5. Les couches graduées ont été développées avec des gradients de température As de 2 et 0,5 °C min−1. La croissance tridimensionnelle (3D) de l'îlot due au grand décalage de réseau entre InAsSb et GaAs a été observée par microscopie électronique à balayage. Comme les épaisseurs de la couche graduée InAsSbet la couche tampon InSb sont augmentées, on observe une transition de la croissance en îlot 3D à la croissance bidimensionnelle en plateau. Les mesures de la courbe de basculement des rayons X indiquent que la pleine largeur aux valeurs mi-maximales des épicouches a été diminuée en utilisant les couches graduées et tampon. Une amélioration spectaculaire de la mobilité électronique des couches développées a été observée par des mesures à effet Hall.

Source : IOPscience

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