2020-03-17
2020-03-09
wafer semi-conducteur de nitrure
| nitrure de gallium autoportant | |||||||
| numéro d'article | type | orientation | épaisseur | qualité | micro défaut densité | surface | zone utilisable |
| \u0026 emsp; | n-type | ||||||
| pam-fs-gan50-n | 2 \"n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan45-n | dia.45mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan40-n | dia.40mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan38-n | dia.38mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan25-n | dia.25.4mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan15-n | 14 mm * 15 mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan10-n | 10mm * 10.5mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan5-n | 5 mm * 5,5 mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| \u0026 emsp; | semi-isolant | ||||||
| pam-fs-gan50-si | 2 \"n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan45-si | dia.45mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan40-si | dia.40mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan38-si | dia.38mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan25-si | dia.25.4mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan15-si | 14 mm * 15 mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan10-si | 10mm * 10.5mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-fs-gan5-si | 5 mm * 5,5 mm, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 300 ± 25um | un B | 0 / \u0026 lt; 2 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| modèle de nitrure de gallium, modèle d'aln, modèle d'ingan, algan modèle | |||||||
| numéro d'article | type | orientation | épaisseur | qualité | dislocation densité | surface | zone utilisable |
| pam-76-gan-t-n | gan modèle, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 20/30 / 40um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-gan-t-n | gan modèle, n type | 0 ° ± 0,5 ° | 20/30 / 40um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-gan-t-p | gan modèle, p type | 0 ° ± 0,5 ° | 2um | / | / | p / p ou p / l | \u0026 gt; 91% |
| pam-50-gan-t-si | gan gabarit, semi-isolant | 0 ° ± 0,5 ° | 30 / 90um | / | \u0026 lt; 1x10 ^ 8 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-aln-t-si | aln gabarit, semi-isolant | 0 ° ± 0,5 ° | 1um | / | / | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-ingan-t-si | modèle ingan | 0 ° ± 0,5 ° | 100-200nm | / | 10 ^ 8 / cm2 | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-algan-t-si | modèle algan | 0 ° ± 0,5 ° | 1-5um | / | * | p / p ou p / l | \u0026 gt; 90% |
| plaquette d'épi de nitrure de gallium (plaquette menée) | |||||||
| numéro d'article | type | orientation | épaisseur | qualité | longueur d'onde | surface | zone utilisable |
| \u0026 emsp; | n-type | ||||||
| pam-50-gan-epi- bleu-f | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 445-475nm | PL | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-gan-epi-bleu-pss | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 445-475nm | PL | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-gan-epi-vert-f | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 510-530nm | PL | \u0026 gt; 90% |
| pam-50-gan-epi-vert-pss | / | 0 ° ± 0,5 ° | 436um | / | 510-530nm | PL | \u0026 gt; 90% |
| nitrure de gallium uv led | |||||||
| numéro d'article | pkg | puissance de sortie | tension directe | qualité | longueur d'onde | deg. | fwhm |
| pam-gan-led-uv-265 | 03wg / smd / à39 | / | / | / | 265nm +/- 3nm | / | 10nm |
| pam-gan-led-uv-280 | 03wg / smd / à39 | / | 6,8-7,5 | / | 280nm +/- 3nm | 140/60 | 10nm |
| pam-gan-led-uv-310 | 03wg / smd / à39 | / | 6.5-7.2 | / | 310nm +/- 3nm | 140/60 | 10nm |
Remarque:
*** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie.
*** délai de livraison: cela dépend du stock que nous avons, si nous avons des actions, nous pouvons expédier à vous bientôt.
Informations de contact
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
