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plaquette de semi-conducteur de gallium

2017-12-22

plaquette de semi-conducteur de gallium

substrats de gaas wafer - arséniure de galliumwww.semiconductorwafers.netwww.semiconductorwafers.net
quantité Matériel orientation. diamètre épaisseur polonais résistivité dopant de type Caroline du Nord mobilité epd
pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 gaas ( 100 ) 25,4 4000 ± 50 dsp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a \u0026 lt; 1e5
1-100 gaas ( 100 ) 50,7 350-370 ssp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 10000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0.50 de réduction vers (011) 50,7 350 ± 10 ssp (0,8-9) e -3 n / si (8) e17 2000-3000 \u0026 lt; 5000
1-100 gaas (100) 6 ° ± 0.50 de réduction vers (011) 50,7 350 ± 20 ssp (0,8-9) × 10 -3 n / si (0.2-4) e18 ≥1000 ≤5000
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 350 ssp n / a p / zn (1-5) e19 n / a \u0026 lt; 5000
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 5000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e8 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 4000 ± 50 ssp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 8000 ± 10 comme coupe \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 8000 ± 10 dsp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 2 ° 50,8 3000 ssp \u0026 gt; 1e7 n / si n / a n / a n / a
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 n / a (1-5) e19 n / a n / a
1-100 gaas ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp n / a n / a (0.4-3.5) e18 ≥1400 ≤100
1-100 gaas (100) 0 ° ou 2 ° 76,2 130 ± 20 dsp n / a non dopé n / a n / a \u0026 lt; 10000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 76,2 350 ± 25 ssp n / a n / si (0.4-2.5) e18 n / a ≤5000
1-100 gaas ( 100 ) 76,2 350 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 gaas ( 100 ) 76,2 350 ± 25 ssp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a ≤8e4 ou 1e4
1-100 gaas ( 100 ) 76,2 625 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a ≥4500 ≤8e4 ou 1e4
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,10 de réduction vers (110) 76,2 500 ssp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 2 ° 100 625 dsp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 2 ° 100 625 ± 25 dsp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0.50 de réduction vers (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / si (0.4-3.5) e18 n / a ≤5000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,10 de réduction vers (110) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e18 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0.50 de réduction vers (011) 100 625 ± 25 dsp (1,0-4,0) 1e8 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0.50 de réduction vers (011) 100 625 ± 25 dsp (1-4) e8 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0.50 de réduction vers (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / si (0.4-4) e18 n / a ≤5000
1-100 gaas (100) 15 ° ± 0.50 de réduction vers (011) 100 350 ± 25 ssp n / a n / si (0.4-4) e18 n / a ≤5000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 350 ± 25 dsp n / a n / si (0.4-4) e18 n / a ≤5000
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 100 625 ± 25 ssp (1-4) e18 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 2 ° ± 0,50 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1e7 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas (100) 0 ° ± 3,0 ° 150 675 ± 25 dsp \u0026 gt; 1,0 × 107 non dopé n / a n / a n / a
1-100 gaas ( 310 ) 50,8 / 76,2 n / a n / a n / a n / a n / a n / a n / a

en tant que fournisseur de gaufrette de gaas, nous offrons la liste de semi-conducteur de gaas pour votre référence, si vous avez besoin de détail de prix, entrez en contact svp notre équipe des ventes

Remarque:

*** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie.

*** délai de livraison: cela dépend de stock nous avons, si nous avons des actions, nous pouvons expédier à vous bientôt. *** nous offrons gaas epitaxy service par mbe et mocvd, s'il vous plaît contacter avec notre équipe des ventes.


substrat de plaquette gasb - antimonure de gallium
quantité Matériel orientation. diamètre épaisseur polonais résistivité dopant de type Caroline du Nord mobilité epd
pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 gaz (100) ± 0,5 50,8 500 ± 25 ssp n / a te 1e17 - 5e18 n / a \u0026 lt; 1000
1-100 gaz (111) a ± 0,5 50,8 500 ± 25 ssp n / a te 1e17 - 5e18 n / a \u0026 lt; 1000
1-100 gaz (111) b 50,8 n / a n / a n / a te (5-8) e17 n / a n / a
1-100 gaz (111) b 50,8 n / a n / a n / a non dopé aucun n / a n / a
1-100 gaz (100) ± 0,5 50,8 500 ssp n / a p / (1-5) e17cm-3 n / a n / a
1-100 gaz (100) ± 0,5 50,8 500 ssp n / a n / (1-5) e17cm-3 n / a n / a
1-100 gaz (100) ± 0,5 50,8 500 ssp n / a n / te (1-8) e17 / (2-7) e16 n / a \u0026 lt; 1000
1-100 gaz ( 100 ) 50,8 450 ± 25 ssp n / a n / a (1-1.2) e17 n / a n / a
1-100 gaz ( 100 ) 50,8 350 ± 25 ssp n / a n / a n / a n / a n / a
1-100 gaz ( 100 ) 76,8 500-600 n / a n / a non dopé aucun n / a n / a
1-100 gaz ( 100 ) 100 800 ± 25 dsp n / a p / zn n / a n / a n / a
1-100 gaz ( 100 ) 100 250 ± 25 n / a n / a p / zno n / a n / a n / a

en tant que fournisseur de plaquette de gasb, nous offrons la liste de semi-conducteur de gasb pour votre référence, si vous avez besoin de détail de prix, entrez en contact svp notre équipe de ventes


Remarque:

*** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie.

*** délai de livraison: cela dépend du stock que nous avons, si nous avons des actions, nous pouvons expédier à vous bientôt.


substrat de plaquette d'intervalle - posphide de gallium
quantité Matériel orientation. diamètre épaisseur polonais résistivité dopant de type Caroline du Nord mobilité epd
pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 écart ( 111 ) 50 5000 ± 20 ssp n / a n n / a n / a n / a
1-100 écart (111) ± 0,5 ° 50 ± 0,5 300 ± 20 n / a n / a s (2 ~ 7) × 1e17 ≥100 \u0026 lt; 3 × 1e5
1-100 écart (111) ± 0,5 ° 50 ± 0,5 300 ± 20 n / a n / a te (1 ~ 2) × 1e17 ≥100 \u0026 lt; 3 × 1e5

en tant que fournisseur de plaquette d'intervalle, nous offrons la liste de semi-conducteur d'écart pour votre référence, si vous avez besoin de détail de prix, entrez en contact svp notre équipe de ventes


Remarque:

*** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie.

*** délai de livraison: cela dépend du stock que nous avons, si nous avons des actions, nous pouvons expédier à vous bientôt.





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