la condition de croissance de mince lourdement dopé mg gan la couche de recouvrement et son effet sur la formation de contact ohmique du gan de type p ont été étudiés.

il est confirmé que le dopage mg excessif peut effectivement améliorer le contact ni / au p- gan après recuit à 550 ° c. lorsque le rapport de débit entre les sources de gaz mg et ga est de 6,4% et la largeur de couche est de 25 nm, la couche de recouvrement développée à 850 ° C présente les meilleures propriétés de contact ohmique par rapport à la résistivité de contact spécifique (ρc). cette température est très inférieure à la température de croissance conventionnelle de gan dopé en mg, ce qui suggère que la bande induite par les défauts de niveau profond peut jouer un rôle important dans la conduction de la couche de recouvrement.

source: iopscience

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