Bien que la croissance épitaxiale des films de Si sur les deux surfaces de la tranche de silicium (épi-Si/Si-wafer/epi-Si) puisse être réalisée en fonderie en montant certaines quantités de tranches de silicium dans une nacelle dans un équipement commercial spécialisé de dépôt chimique en phase vapeur ( s-CVD), pour son homologue epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC, il n'est pas non plus facilement réalisé en s-CVD, ni facilement réalisé dans un équipement de dépôt chimique en phase vapeur conventionnel (c-CVD) qui est généralement utilisé pour la croissance de 3C-SiC sur une seule surface de tranche de silicium (épi- SiC/tranche de Si). Étant donné que la croissance d'epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC en une seule passe est plus efficace et est anticipée, dans ce travail, nous avons démontré une méthode facile pour la croissance d'epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC dans c-MCV. La tranche de Si a été polie des deux côtés et montée en suspension sur le suscepteur dans la chambre c-CVD. Il a été constaté que des films homogènes de 3C-SiC(100) étaient cultivés par hétéroépitaxie sur les deux surfaces de la plaquette de Si(100) en suspension simultanément. Les propriétés structurelles et électriques des films 3C-SiC obtenus sur les deux surfaces ont été étudiées au moyen de mesures SEM, XRD, Raman et JV. Les résultats ont montré que chaque film était uniforme et continu, avec la même tendance de légère dégradation de la région intérieure à la région extérieure de la plaquette. Cela a indiqué un moyen possible de fabriquer en série des films 3C-SiC de haute qualité sur des tranches de Sien une seule passe en c-CVD pour les applications potentielles telles que les capteurs, avec un principe de fonctionnement basé sur la différence de chute de tension de deux diodes dos à dos sur epi-SiC/Si-wafer/epi-SiC, ou la croissance de graphène à partir d'épi- Gabarits SiC/Si-wafer/épi-SiC.

Source : IOPscience

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