maison / liste des plaquettes
liste des plaquettes
  • autres plaquettes-2

    2017-12-22

    autres gaufrettes plaquette de lsat quantité Matériel orientation. Taille épaisseur polonais résistivité dopant de type plat principal epd ra pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientation / cm2 nm 1-100 lsat (100) 50,8 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 lsat (100) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 lsat (110) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 lsat (111) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 lsat (100) 10x10 2000 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 en tant que fournisseur de gaufrette d'lsat, nous offrons la liste de gaufrette d'lsat pour votre référence, si vous avez besoin de détail de prix, entrez en contact svp notre équipe des ventes Remarque: *** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie. *** délai de livraison: cela dépend du stock que nous avons, si nous avons des actions, nous pouvons expédier à vous bientôt. tio2 wafer quantité Matériel orientation. Taille épaisseur polonais résistivité dopant de type plat principal epd ra pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientation / cm2 nm 1-100 tio2 (110) 5x5 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (011) 5x5 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (001) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (110) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (011) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 En tant que fournisseur de plaquette tio2, nous offrons la liste de plaquettes tio2 pour votre référence, si vous avez besoin de détails de prix, s'il vous plaît contacter notre équipe de vente Remarque: *** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie. *** délai de livraison: cela dépend du stock que nous avons, si nous avons des actions, nous pouvons expédier à vous bientôt. lao wafer quantité Matériel orientation. Taille épaisseur polonais résistivité dopant de type plat principal epd ra pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientation / cm2 nm 1-100 lao (100) 50,8 500 ± 50 dsp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 En tant que fournisseur de la plaquette lao, nous offrons la liste de plaquettes lao pour votre référence, si vous avez besoin de détails de prix, s'il vous plaît contacter notre équipe de vente Remarque: *** en tant que fabricant, nous acceptons également la petite quantité pour le chercheur ou la fonderie. *** délai de livraison: cela dépend du stock que nous avons, si nous avons des actions, nous pouvons expédier à vous bientôt. al2o3 wafer quantité Matériel orientation. Taille épaisseur polonais résistivité dopant de type plat principal epd ra pcs (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientation / cm2 nm 1-100 al2o3 (0001) 10x10 500 dsp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 10x10 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 20x20 500 ssp n / a n / a n / a n / a \u0026 lt; ...

  • système de dépôt chimique en phase vapeur de graphène

    2017-12-22

    système de dépôt chimique en phase vapeur de graphène nous fournissons des séries de systèmes de graphème 2d pour le graphème, le cnt et d'autres matériaux de croissance 2d. et offre le système de dépôt chimique en phase vapeur (cvd) le plus efficace pour la croissance du graphène (est compatible pour la croissance de lpcvd et apcvd). nous pouvons également ajuster chacun de ces systèmes standard peuvent être adaptés aux besoins spécifiques de l'application de l'utilisateur. configurations du système: 1) chambre de réaction température de travail standard: ~ 1000 température de travail maximale: ~ 1200 ° c. puissance évaluée: 2.5 kilowatts. mode de joint: acier inoxydable le joint d'extrusion de bride rapide de kf, mode de refroidissement: refroidissement par eau externe. 2) gaz et contrôleur pureté: 99,999%; plage de débit: 0-1000 sccm; pureté h2: 99,999%; plage de débit: 0-200 sccm; pureté ch4 99,999%; plage de débit: 0-10 sccm; 13ch4 * pureté 99%; plage de débit: 0-10 sccm. (*optionnel) 3) système de vide pompe mécanique: vitesse de pompage: 400 l / min; pression de base: 1 × 10-3 torr. piège à azote liquide * (* facultatif) protection contre la pression contrôleur de manomètre: contrôle manuel de la pression de la chambre. (* le mode de contrôle automatique est optionnel) 4) modules de contrôle notre logiciel de contrôle graphène cvd pour le contrôle de processus en temps réel, l'enregistrement et l'affichage de données, la génération et l'édition de recettes. La température, le débit et la pression du vide sont facilement contrôlés ou édités par ordinateur. (le contrôle manuel est toujours disponible). Des recettes préprogrammées pour la croissance du graphène sont fournies aux utilisateurs. notre objectif: la commercialisation et la production en série de nouveaux matériaux 2D tels que le graphène est en train de devenir une réalité, et les universités et les chercheurs du monde entier ont des budgets limités mais exigent des performances élevées de leur équipement ou système. Notre objectif est donc de fournir un excellent système croissance graphique dans le prix le plus bas pour atteindre leur objectif de prix. les caractéristiques: 1) système de contrôle entièrement automatique avec des recettes préprogrammées pour la croissance du graphène. 2) les processus de base & assistance d'optimisation 3) des systèmes de standardisation ou de personnalisation adaptés à tous les budgets 4) croissance de graphène monocristallin de haute performance dans la taille de monocristal jusqu'à quelques millimètres 5) technique unique de croissance par marquage isotopique pour l'étude de la dynamique 6) nous offrons des services professionnels d'installation et de formation pour faciliter la transition de nos produits dans votre environnement de travail, y compris l'application technique et le transfert de connaissances. le processus d'installation commence par un examen détaillé de la portée du travail afin de définir vos exigences en matière d'installati...

  • Gaufrettes / films de graphène

    2017-12-22

    Gaufrettes / films de graphène Gaufrettes / films de graphène article no la description mg / pet-10-10 graphène monocouche sur film animal de compagnie (10 mm x 10 mm) mg / pet-20-20 graphène monocouche sur film pour animaux de compagnie (20 mm x 20 mm) mg / pet-50-50 graphène monocouche sur film pour animaux de compagnie (50 mm x 50 mm) mg / pet-100-100 graphène monocouche sur film animal de compagnie (100 mm x 100 mm) mg / pet-300-200 graphène monocouche sur film animal de compagnie (30 0 mm x 200 mm) mg / pet-500-200 graphène monocouche sur film animal de compagnie (500 mm x 200 mm) mg / sio2 / si-10-10 graphène monocouche sur sio2 / silicium (10mm x 10mm) mg / sio2 / si-25-25 graphène monocouche sur sio2 / silicium (1 pouce x 1 pouce) mg / sio2 / si-100 graphène monocouche sur sio2 / silicium (plaquette de 100 mm) bg / sio2 / si-10-10 graphène bicouche sur sio2 / silicium (10 mm x 10 mm) tg / sio2 / si-10-10 graphène tricouche sur sio2 / silicium (10 mm x 10 mm) mg / cu-10-10 graphène monocouche sur cuivre (10 mm x 10 mm) mg / cu-20-20 graphène monocouche sur cuivre (20 mm x 20 mm) mg / cu-25-25 graphène monocouche sur cuivre (1 pouce x 1 pouce) mg / cu-50-50 graphène monocouche sur cu (50 mm x 50 mm) mg / cu-100-50 graphène monocouche sur cu (100 mm x 50 mm) mg / cu-100 graphène monocouche sur cu (gaufrettes de 100 mm) mg / ni-10-10 croissance du graphène sur le nickel (10mm x 10mm) mg / ni-20-20 croissance du graphène sur le nickel (20mm x 20mm) mg / ni-30-20 croissance de graphène sur le nickel (30mm x 20mm) mg / ni-50-20 Croissance du graphène sur nickel (50mm x 20mm) source: pam-xiamen Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: www.powerwaywafer.com, envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com

  • plaquette de silicium

    2017-12-22

    plaquette de silicium si substrat de plaquette -silicium quantité Matériel orienta tion. diamet er thickne ss polonais Resisti vity ty dopant pe Caroline du Nord mobi lité epd pcs (mm) (μm ) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm 3 cm 2 /contre /cm 2 1-100 si n / a 25,4 280 ssp 1-100 p / b n / a n / a n / a 1-100 si n / a 25,4 280 ssp 1-100 p / b (1-200) e16 n / a n / a 1-100 si (100) 25,4 525 n / a \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 25,4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a 1-100 si avec oxyde  couche (100) 25,4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0,005 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 25,4 350-500 ssp 1 ~ 10 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 25,4 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50,4 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 p-si avec 90 nm  sio2 (100) 50,4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 n-si avec 90 nm  sio2 (100) 50,4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 p-si avec 285  nm sio2 (100) 50,4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 n-si avec 285  nm sio2 (100) 50,4 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 si avec électrodes (100) 50,8 400 n / a \u0026 lt; 0,05 n / p 1e14-1e15 n / a n / a 1-100 si (100) 50,8 275 ssp 1 ~ 10 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50,8 275 ± 25 ssp 1 ~ 10 n / p n / a n / a n / a 1-100 si (111) 50,8 350 ± 15 ssp \u0026 gt; 10000 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50,8 430 ± 15 ssp 5000-8000 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (111) 50,8 410 ± 15 ssp 1 ~ 20 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (111) 50,8 400-500 ssp \u0026 gt; 5000 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50,8 525 ± 25 ssp 1 ~ 50 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50,8 500 ± 25 ssp 1 ~ 10 n p n / a n / a n / a 1-100 si (100) 50,8 500 ± 25 p / p \u0026 gt; 700 p / n / a n / a n / a 1-100 si (100) 76,2 400 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 p-si avec 90 nm  sio2 (100) 76,2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 p / n / a n / a n / a 1-100 n-si avec 90 nm  sio2 (100) 76,2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 p-si avec 285  nm sio2 (100) 76,2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 n-si avec 285  nm sio2 (100) 76,2 500 ± 25 p / e \u0026 lt; 0,05 n / n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 625 ssp \u0026 gt; 10000 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 525 ssp n / a n / p n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 320 ssp \u0026 gt; 2500ohm · cm p / b n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 n / a ssp 10 ~ 30 n / p n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 505 ± 25 ssp 0.005-0.20 n / p-dopé n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 381 ssp 0.005-0.20 n / p-dopé n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 100 625 ± 25 ssp 0.001-0.004 n / a n / a n / a n / a 1-100 si avec oxyde  couche 3000a (100) 100 675 ± 25 ssp 0.001-0.004 n / a n / a n / a n / a 1-100 si (100) 1...

  • substrats pour le dépôt de film de nitrure iii-v

    2018-02-27

    substrats pour le dépôt de film de nitrure iii-v cristal structure m.p. densité désaccord de treillis à gan dilatation thermique technologie de croissance & taille max taille standard du substrat (mm) o c g / cm 3 (dix -6 / k) sic (6h par exemple) hexagonal ~ 2700 3,21 3,5% atori. 10,3 cvd Ø2 \"x 0,3, Ø3\" x0,3 a = 3,073 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; 20x20x0.3,15x15x0.3 c = 15.117 Å \u0026 emsp; Ø3 \" 10x10x0.3,5x5x0.3 \u0026 emsp; subl. \u0026 emsp; 1 côté epi poli Al 2 o 3 hexagonal 2030 3,97 14% atori. 7,5 cz Ø50 x 0,33 a = 4,775 Å \u0026 emsp; Ø25 x 0,50 c = 12,99 Å Ø2 \" 10x10x0.5 \u0026 emsp; \u0026 emsp; Epi 1 ou 2 faces polies Lialo 2 tétragonale 1900 ~ 2,62 1,4% atori. / cz 10x10x0.5 a = 5,17 Å Ø20 mm Epi 1 ou 2 faces polies c = 6,26 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; ligao 2 orthor. 1600 4,18 0,2% atori. / cz 10x10x0.5 a = 5.406 Å Ø20 mm Epi 1 ou 2 faces polies b = 5,012Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; c = 6,379 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; mgo cubique 2852 3,58 3% atori. 12,8 flux 2 \"x2\" x 0.5 mm, Ø2 \"x 0.5 mm a = 4,216 Å \u0026 emsp; 1 \"x1\" x 0.5 mm, Ø1 \"x 0.5 mm \u0026 emsp; Ø2 \" 10 x10x0,5 mm Epi 1 ou 2 faces polies mgal 2 o 4 cubique 2130 3.6 9% atori. 7.45 cz Ø2 \"x 0.5 a = 8.083 Å Ø2 \" 10x10x0.5 \u0026 emsp; \u0026 emsp; Epi 1 ou 2 faces polies zno hexag. 1975 5.605 2,2% atori. 2,9 hydro-thermique 20x20x0.5 a = 3,325 Å 20mm Epi 1 ou 2 faces polies c = 5,213 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; gan hexagonal \u0026 emsp; 6.15 \u0026 emsp; 5,59 \u0026 emsp; 10x10x0.475mm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 5x5x0.475mm

  • substrats supraconducteurs

    0201-02-27

    substrats supraconducteurs cristal structure m.p. densité dilatation thermique constante diélectrique technologie de croissance & max. Taille gaufrette épi polie standard 1 ou 2 côtés o c g / cm 3 \u0026 emsp; lsat cubique 1840 6,74 dix 22 cz 20x20x0.5mm (laalo3) 0,3  - (sr2altao8) 0,7 a = 3,868 Å Ø35mm 10x10x0.5mm laalo3 rhombo. 2100 6,51 9.2 24.5 cz Ø3 \"x0.5mm a = 3,790 Å Ø3 \" Ø2 \"x0.5mm c = 13,11 Å \u0026 emsp; Ø1 \"x0.5mm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 10x10x0.5mm mgo cubique 2852 3,58 12,8 9,8 flux Ø2 \"x0.5mm a = 4,21 Å Ø2 \" 10x10x0.5mm ndgao3 orthor. 1600 7,57 7.8 25 cz Ø2 \"x0.5mm a = 5,43 Å Ø2 \" 10x10x0.5mm b = 5,50 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; c = 7,71 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; srtio3 cubique 2080 5.12 10,4 300 vernuil 10x10x0.5mm a = 3,90 Å Ø30mm srlaalo4 tetrag. 1650 16,8 cz 10x10x0.5mm a = 3,756 Å Ø20mm c = 12,63 Å \u0026 emsp; Yalo 3 orthor. 1870 4,88 2 ~ 10 16`20 cz 10x10x0.5mm a = 5,176 Å  b = 5,307 Å Ø30mm c = 7,355 Å \u0026 emsp; ysz cubique ~ 2500 5,8 10,3 27 flux Ø2 \"x0.5mm a = 5,255 Å Ø2 \" 10x10x0.5m

  • épi / film mince sur substrat

    0201-02-27

    épi / film mince sur substrat gan substrat / modèle sio2 + si3n4 sur  substrat de plaquette de silicium gaas / algues  sur gaas (si) substrat sic 4h film  sur substrat 4h-sic aln film mince  substrat film d'aluminium  substrat nitrure de silicium  sur corning 7980 substrat la0.7sr0.3mno3 +  pbzr (x) ti (1-x) o3 sur substrat nb (srtio3) diamant sur substrat de plaquette de silicium film conducteur d'ag ( nanowir argent planarisé ) substrat film fto sur des substrats nitrure de silicium  sur substrat de silicium la0.5sr0.5tio3 substrat de film plaquette de silicium au-enduit  / substrat de glissières de verre ge epi-film sur si substrat au (orienté  substrat polycristallin) / cr / sio2 / si film de graphène sur substrat ni / sio2 / si au (orienté  substrat polycristallin) / ti / sio2 / si pbzrxti 1-xo3 (pzt)  substrat la0.7sr0.3mno3 +  pbzr (x) ti (1-x) o3 sur substrat srtio3 argent (ag) sur si substrat de plaquette film mos2 epi sur substrat sio2 / si srmoo4 substrat de film ba1 xsrxtio3  film sur (pt / ti / sio2 / si) substrat substrat en verre sodalime enduit de mo srruo3 substrat de film verre revêtu (sodalime)  substrat plastique Ni recouvert si substrat soi wafer (si sur isolant  ) substrat substrat en verre sodalime recouvert de tio2 substrat d'oxyde thermique nitrure de bore sur silicium Ito / zno enduit  substrat de verre de sodalime film bifeo3 sur substrat si + sio2 + ti (ou  tio2) + pt substrat de film mince ybco epi film sur  srtio3, laalo3, substrat al2o3 yig epi film sur  substrat ggg ceo2 epi mince  film sur substrat ysz film cu epi sur  si substrat ingaas epi sur  substrat inp zno mince film sur  substrat de saphir sos (silicium sur  saphir) substrat film zno / pt / ti  sur si substrat zno sur  verre / substrat de silice fondue film zno / au / cr  sur si substrat film lanio3  substrat algan substrat / modèle

  • monocristal

    2018-02-27

    monocristal cristal ceo2 Fé3o4 cristal cristal sno2 cristal de cu2o fe2o3 cristal cristal mno cristal prsco3  substrat cristal ndsco3  substrat cristal ndsco3  substrat gdsco3 cristal  substrat dysco3 crystal  substrat soi wafer ti terminal srtio3 hopg ( pyrolytique hautement orienté  graphite ) film zno / cal2o3 ain sur la plaquette de saphir

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