2020-03-17
2020-03-09
xiamen powerway advanced material co., ltd., un important fournisseur de lt-gaas et d'autres produits et services connexes a annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 2 \"-3\" est sur la production de masse en 2017. ce nouveau produit représente un ajout naturel à pam La gamme de produits de Xiamen. dr. shaka, a déclaré, \"nous sommes heureux d'offrir lt-gaas epi couche à nos clients, y compris beaucoup qui se développent mieux et plus fiable pour un appareil laser. notre couche d'epi lt-gaas a d'excellentes propriétés, des films de gaas avec des couches de gaas à basse température (lt-gaas) ont été développés par épitaxie par jet moléculaire (mbe) sur des substrats vicinaux orientés à 6 ° vers [110]. les structures cultivées étaient différentes avec l'épaisseur des couches de lt-gaas et sa disposition dans le film. enquêtes o f les propriétés cristallines des structures développées ont été réalisées par les méthodes de diffraction des rayons X (xrd) et de microscopie électronique à transmission (tem). la disponibilité améliore les processus de croissance et de gaufrage des boules. »et« nos clients peuvent désormais bénéficier du rendement accru des dispositifs attendu lors du développement de transistors avancés sur un substrat carré. Notre couche d'epi lt-gaas est naturelle grâce aux produits de nos efforts continus, actuellement nous sommes consacrés à développer en permanence des produits plus fiables. \" La gamme de produits améliorés lt-gaas de pam-xiamen a bénéficié d'une technologie solide. soutien de l'université native et du centre de laboratoire. maintenant il montre un exemple comme suit: Spécification de plaquette de 2 \"lt-gaas diamètre (mm) Ф 50.8mm ± 1mm épaisseur 1-2um densité de défauts marco≤5 cm-2 résistivité (300k) \u0026 gt; 10 ^ 8 ohm-cm durée de vie du support \u0026 lt; 15ps ou \u0026 lt; 1ps densité de dislocation \u0026 lt; 1 × 10 ^ 6cm-2 surface utilisable≥80% polissage: un seul côté poli substrat: substrat gaas à propos de xiamen powerway advanced material co., ltd trouvé en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) est un important fabricant de matériau semi-conducteur composé en Chine. pam-xiamen développe des technologies avancées de croissance des cristaux et d'épitaxie, des procédés de fabrication, des substrats techniques et des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies de pam-xiamen permettent une fabrication plus performante et moins coûteuse des plaquettes semi-conductrices. à propos de lt-gaas Les gaas à basse température sont connus dans la littérature [13, 14] et ont une constante de réseau plus grande que la constante de réseau des gaas à haute température. ceci est dû à l'adsorption de l'excès à basse température. il y a des contraintes à l'interface de lt-gaas / gaas en raison de la différence des paramètres de maille. pour réduire la contrainte accumulée, la présence de dislocations inadaptées dans l'interface est nécessaire. le moyen le plus rentable de former de telles d...
crédit: cc0 domaine public une découverte par deux scientifiques du laboratoire national des énergies renouvelables du département de l'énergie (nrel) pourrait aider au développement de dispositifs semi-conducteurs de nouvelle génération. les chercheurs, kwangwook park et kirstin alberi, ont expérimenté l'intégration de deux semiconducteurs dissemblables dans une hétérostructure en utilisant la lumière pour modifier l'interface entre eux. typiquement, les matériaux semiconducteurs utilisés dans les dispositifs électroniques sont choisis en fonction de facteurs tels que la structure cristalline, la constante de réseau et les coefficients de dilatation thermique. la correspondance étroite crée une interface parfaite entre les couches et aboutit à un périphérique haute performance. la possibilité d'utiliser différentes classes de semi-conducteurs pourrait créer des possibilités supplémentaires pour concevoir de nouveaux dispositifs très efficaces, mais seulement si les interfaces entre eux peuvent être formées correctement. park and alberi Une découverte par deux scientifiques du laboratoire national des énergies renouvelables (nrel) pourrait aider à déterminer que la lumière ultraviolette (UV) appliquée directement sur la surface du semiconducteur pendant la croissance de l'hétérostructure peut modifier l'interface entre deux couches. leur article «adaptant la formation d'interface hétérovalente à la lumière» apparaît dans les rapports scientifiques. \"La vraie valeur de ce travail est que nous comprenons maintenant comment la lumière affecte la formation de l'interface, ce qui peut guider les chercheurs dans l'intégration d'une variété de différents semi-conducteurs à l'avenir\", a déclaré Park. les chercheurs ont exploré cette approche dans un système modèle constitué d'une couche de séléniure de zinc (znse) cultivée sur une couche d'arséniure de gallium (gaas). en utilisant une lampe au xénon de 150 watts pour éclairer la surface de croissance, ils ont déterminé les mécanismes de la formation d'interface stimulée par la lumière en faisant varier l'intensité de la lumière et les conditions d'initiation de l'interface. park et alberi ont trouvé que la lumière UV modifiait le mélange de liaisons chimiques à l'interface par désorption photo-induite des atomes d'arsenic sur la surface de gaas, entraînant un plus grand pourcentage de liaisons entre le gallium et le sélénium, qui contribuent à passiver la couche gaas sous-jacente. l'illumination a également permis à la znse de croître à des températures plus basses pour mieux réguler le mélange élémentaire à l'interface. les scientifiques nrel ont suggéré une application soigneuse de l'éclairage UV peut être utilisé pour améliorer les propriétés optiques des deux couches. explorer plus loin: les scientifiques créent des hétérostructures semi-conductrices ultramines pour les nouvelles technologies plus d'informations: kwangwook park et al.tail formation de l'interface hétérovalente avec la lumière, des ...
abstrait L'agent de gravure secco est classiquement utilisé pour la délinéation des défauts de structure d'écoulement (fpds) dans des tranches de silicium czochralski (cz) faiblement dopées. cependant, les fpds dans des tranches de silicium de type p fortement dopées ne peuvent pas être bien délimités par un agent de gravure secco. Ici, un agent d'attaque basé sur le système cro3hfh2o, avec un rapport de volume optimisé de v (cro3): v (hf) = 2: 3, où la concentration de cro3 est de 0,25-0,35 m, a été développé pour la délimitation de fpds avec des morphologies bien définies pour les tranches de silicium de type p fortement dopées au bore (b). mots-clés: silicium de type p fortement dopé, défauts d'écoulement, délimitation, gravure préférentielle source: sciencedirect Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un email à angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
légende: cellules solaires en silicium à contact arrière interdigitées supérieures à 23% d'efficacité Imec et ses partenaires du programme d'affiliation industrielle Silicon photovoltaïque Schott Solar, Total, Photovoltech, GDF-Suez, Soland Soland, Kaneka et Dow Corning, ont démontré une excellente efficacité de conversion de 23,3% sur les cellules solaires à contact inversé (ibc). des contacts arrière interdigités sont introduits pour augmenter l'efficacité de conversion des cellules en silicium cristallin et permettre une réduction supplémentaire de l'épaisseur des cellules, une simplification de la fabrication des modules et une esthétique améliorée des modules solaires finaux. imec a mis au point un procédé de base à haut rendement pour les cellules ibc de petite taille dans le cadre de son programme d'affiliation industrielle multi-partenaires de cellules solaires au silicium qui vise à augmenter l'efficacité bien au-delà de 20%. -L'art. les éléments clés des cellules solaires ibc si de petite surface (2 × 2 cm2) nouvellement développées sont les substrats de silicium de base de type n (fz) de type n, une texture pyramidale aléatoire, un diffuseur de bore diffusé, avant et arrière phosphorescents des champs de surface, un dioxyde de silicium à croissance thermique pour la passivation de surface, un revêtement antiréfléchissant monocouche sin, un motif à base de lithographie et une métallisation de l'aluminium. les cellules ibc réalisées atteignent une efficacité de conversion de zone désignée de 23,3% (jsc = 41,6 ma, voc = 696 mv, ff = 80,4%), certifiée par ise-callabs. jef poortmans, directeur du programme photovoltaïque r \u0026 m d'imec: «nous sommes ravis de démontrer ces excellents résultats d'efficacité sur les cellules solaires au silicium ibc. ils prouvent la pertinence de la technologie ibc pour nos partenaires industriels. de telles performances sur les cellules solaires au silicium ibc de petite taille constituent une base parfaite pour le développement d'une technologie de cellule ibc à grande surface et industriellement réalisable chez imec. \" \"En tant que partenaires du programme d'affiliation industrielle photovoltaïque au silicium d'imec, nous sommes très satisfaits de ce nouveau résultat\", déclare le Dr. martin heming, directeur général de schott solar. Ce fabricant solaire allemand a été le premier partenaire industriel à rejoindre le programme de l'imec sur les cellules solaires au silicium. \"Le résultat du test confirme notre confiance dans les excellentes capacités et la vision de pv r \u0026 d d'imec, et nous permet d'acquérir un savoir-faire important et une base IP pour nos produits de nouvelle génération de cellules solaires.\" source: phys Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un email à angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
Un chercheur de laboratoire, Paul Canfield, enlève un échantillon d'un four de croissance. crédit: ames laboratory w Quand il s'agit de créer de nouveaux matériaux, les monocristaux jouent un rôle important dans la présentation d'une image plus claire des propriétés intrinsèques d'un matériau. un matériau typique sera composé de beaucoup de plus petits cristaux et les joints de grains entre ces cristaux peuvent agir comme des obstacles, affectant des propriétés telles que la résistance électrique ou thermique. \"Ces limites peuvent avoir des effets profonds, à la fois bons et mauvais\", a déclaré ames laboratoire des matériaux de laboratoire et directeur adjoint tom lograsso. \"En général, un matériau qui a des cristaux de plus en plus petits a en réalité des propriétés mécaniques améliorées.\" une exception à cette règle est qu'à haute température, par rapport au point de fusion, les petits cristaux peuvent avoir tendance à glisser l'un sur l'autre, une propriété appelée fluage. C'est pour cette raison que les aubes de turbine de certains moteurs à réaction ou générateurs sont en réalité constituées de monocristaux d'alliage à base de nickel. quelques autres applications quotidiennes utilisant des monocristaux sont des semi-conducteurs, des détecteurs, tels que des capteurs infrarouges ou de radiation, et des lasers. \"Le composant actif dans un laser est un monocristal\", a déclaré lograsso, qui est aussi un professeur adjoint de l'université de l'état de l'Iowa de la science des matériaux et de l'ingénierie, \"parce que les limites de grains de cristal disperseraient la lumière.\" Du point de vue de la recherche, en particulier lors de la création d'un nouveau matériau, les scientifiques veulent supprimer autant de variables que possible pour mieux comprendre les propriétés d'un matériau. Une première façon de le faire est de commencer avec des matières premières aussi pures que possible et de produire le matériau sous forme de monocristal. \"Vous ne voulez pas de défauts dans la structure cristalline et vous ne voulez pas d'impuretés, ce qui peut être une source de nucléation supplémentaire\", a déclaré lograsso. «Les nouveaux matériaux peuvent avoir une nouvelle physique, et nous pouvons déterminer ce qu'ils sont si nous faisons des mesures sur un échantillon propre et vierge (c'est-à-dire un monocristal). et si nous le faisons constamment, nous pouvons faire des comparaisons avec d'autres matériaux et voir comment cela s'intègre dans notre compréhension des comportements particuliers. \" Les scientifiques de laboratoire d'ames emploient un certain nombre de techniques pour cultiver des monocristaux, chacun adapté à produire des cristaux à partir de différents types de matériaux. cependant, le principe de base est le même - sursaturer une solution, puis précipiter le cristal. \"En tant qu'enfants, nous connaissons l'ajout de sel ou de sucre dans l'eau chaude jusqu'à ce que vous ayez sursaturé le liquide\", a déclaré M. Lograsso. \"Puis, lors...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fournisseur leader de ingap et d'autres produits et services connexes ont annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 3 \"est sur la production de masse en 2017. ce nouveau produit représente un ajout naturel à la ligne de produits de pam-xiamen. dr. Shaka, a déclaré: \"Nous sommes heureux d'offrir ingap couche à nos clients, y compris beaucoup qui se développent mieux et plus fiable pour les structures hemt et hbt, mais aussi pour la fabrication de cellules solaires à haut rendement utilisées pour des applications spatiales. notre ingap couche a d'excellentes propriétés, ga0.5in0.5p est utilisé comme jonction de haute énergie sur les cellules photovoltaïques à double et triple jonction cultivées sur GaAs. la disponibilité améliore les processus de croissance et de gaufrage des boules. »et« nos clients peuvent désormais bénéficier du rendement accru des dispositifs attendu lors du développement de transistors avancés sur un substrat carré. notre ingap couche sont naturels par les produits de nos efforts en cours, actuellement nous sommes consacrés à développer en permanence des produits plus fiables. \" amélioration de pam-xiamen ingap la ligne de produits a bénéficié de la technologie forte. soutien de l'université native et du centre de laboratoire. maintenant il montre 2 exemples comme suit: nom de la couche épaisseur (nm) se doper remarques in0.4gaga.51p 400 non dopé substrat gaas (100) 2 \" non dopé ou dopé n nom de la couche épaisseur (nm) se doper remarques in0.4gaga.51p 50 non dopé in0.4al0.51p 250 non dopé in0.4gaga.51p 50 non dopé substrat gaas (100) 2 \" non dopé ou dopé n à propos de xiamen powerway advanced material co., ltd trouvé en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) est un important fabricant de matériau semi-conducteur composé en Chine. pam-xiamen développe des technologies avancées de croissance des cristaux et d'épitaxie, des procédés de fabrication, des substrats techniques et des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies de pam-xiamen permettent une fabrication plus performante et moins coûteuse des plaquettes semi-conductrices. sur ingap le phosphure d'indium et de gallium ( ingap ), également appelé gallium indium phosphide (gainp), est un semi-conducteur composé d'indium, de gallium et de phosphore. il est utilisé dans l'électronique à haute puissance et à haute fréquence en raison de sa vitesse supérieure des électrons par rapport aux semi-conducteurs les plus courants, le silicium et l'arséniure de gallium. il est utilisé principalement dans les structures hemt et hbt, mais aussi pour la fabrication de cellules solaires à haut rendement utilisées pour des applications spatiales et, en combinaison avec de l'aluminium (algainp alloy), pour produire des leds à haute brillance avec orange rouge, orange, jaune et vert couleurs. certains dispositifs à semi-conducteurs tels que le nanocristal d'efluor utilisent l'ingap comme particule principale....
fait d'une seule feuille d'atomes de carbone, le graphène peut être filé au taux le plus rapide de tout objet macroscopique connu. crédit d'image: wikimedia commons. Une collaboration menée par le Cnst avec l'université de Maryland et l'université du Texas a permis de calculer comment les interactions électrostatiques entre électrons dans différentes couches de graphène à quelques couches affectent les propriétés de la couche supérieure [1]. Depuis que le graphène a été extrait du graphite en vrac pour la première fois en 2004, il a été au centre d'avancées scientifiques et de développements technologiques remarquables. un matériau particulièrement prometteur est le graphène cultivé à la surface des cristaux de sic par sublimation de si du substrat, qui pousse typiquement dans des feuilles de graphène à quelques couches. Contrairement aux cristaux de graphite, ces couches sont tournées l'une par rapport à l'autre de sorte que les atomes ne s'alignent pas. cette rotation a des conséquences surprenantes, comme on a pu le constater lors de récentes mesures de microscopie à effet tunnel effectuées au cnst [2]. dans les champs magnétiques élevés et à basses températures, la couche supérieure se comporte de plusieurs façons comme une feuille de graphène isolée, mais une feuille dans laquelle la charge pourrait se transférer aux autres couches. les mesures ont également montré que dans les champs les plus élevés de l'étude, les spectres mesurés présentaient un écart qui ne pouvait pas être expliqué par une simple description d'une seule particule du système; les électrons de la couche supérieure interagissaient avec d'autres électrons, soit dans la même couche, soit dans les autres couches. expliquant plusieurs aspects des données expérimentales, les derniers calculs révèlent comment les électrons se transmettent entre les couches, et comment, dans de bonnes conditions, un «état corrélé» pourrait se développer entre les électrons de la couche supérieure et les autres couches. Bien que d'autres recherches expérimentales et théoriques soient nécessaires pour confirmer cette explication, ce travail démontre davantage la variété de phénomènes intéressants qui émergent à mesure que les couches du puzzle scientifique du graphène sont éliminées. source: phys Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.semiconductorwafers.net , s fin nous email à angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .
xiamen powerway advanced material co., ltd., un fournisseur leader de algap et d'autres produits et services connexes ont annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 2 \"est sur la production de masse en 2017. ce nouveau produit représente un ajout naturel à la ligne de produits de pam-xiamen. dr. Shaka, a déclaré: \"Nous sommes heureux d'offrir algap couche à nos clients, y compris beaucoup qui se développent mieux et plus fiable pour une plate-forme pour la communication de la lumière optique, en particulier un guide d'ondes à pont aérien. notre algap couche a d'excellentes propriétés, un solide cristallin utilisé comme semi-conducteur et dans des applications photo-optiques. les éléments américains produisent de nombreuses nuances standard le cas échéant, y compris les spécifications mil (grade militaire); acs, réactif et qualité technique; qualité alimentaire, agricole et pharmaceutique; catégorie optique, usp et ep / bp (pharmacopée européenne / pharmacopée britannique) et suit les normes d'essai applicables d'astm. emballage typique et personnalisé est disponible. des informations techniques, de recherche et de sécurité (msds) supplémentaires sont disponibles ainsi qu'un calculateur de référence pour la conversion des unités de mesure pertinentes. la disponibilité améliore les processus de croissance et de gaufrage des boules. »et« nos clients peuvent désormais bénéficier du rendement accru des dispositifs attendu lors du développement de transistors avancés sur un substrat carré. notre algap couche sont naturels par les produits de nos efforts en cours, actuellement nous sommes consacrés à développer en permanence des produits plus fiables. \" amélioration de pam-xiamen algap la ligne de produits a bénéficié de la technologie forte. soutien de l'université native et du centre de laboratoire. maintenant il montre un exemple comme suit: à propos de xiamen powerway advanced material co., ltd trouvé en 1990, xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) est un important fabricant de matériau semi-conducteur composé en Chine. pam-xiamen développe des technologies avancées de croissance des cristaux et d'épitaxie, des procédés de fabrication, des substrats techniques et des dispositifs semi-conducteurs. Les technologies de pam-xiamen permettent une fabrication plus performante et moins coûteuse des plaquettes semi-conductrices. sur algap le phosphure d'aluminium et de gallium, (al, ga) p, un phosphure d'aluminium et de gallium, est un matériau semi-conducteur. c'est un alliage de phosphure d'aluminium et de phosphure de gallium. il est utilisé pour fabriquer des diodes électroluminescentes émettant de la lumière verte. q & a q: pouvez-vous fournir epi-wafer comme suit? taille de la plaquette: 2 pouces la structure ci-dessous sera utilisé comme une plate-forme pour la communication optique de la lumière, en particulier un guide d'ondes à pontage d'air. la tolérance d'épaisseur de chaque couche est la suivante: couche de recouvrement,...
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