Processus de croissance épitaxiale pour Polytypes SiC dans lequel un Substrat de SiC est utilisé sont étudiés en utilisant un modèle de croissance en couches. Les diagrammes de phase correspondants des processus de croissance épitaxiale sont donnés. Les calculs fondés sur des principes sont utilisés pour déterminer les paramètres du modèle de croissance en couches. Les diagrammes de phase de croissance en couches montrent que, lorsque le réarrangement des atomes dans une bicouche de surface Si – C est autorisé, la structure 3C-SiC est formée.

Lorsque le réarrangement des atomes dans deux bicouches de surface Si – C est autorisé, le 4H-SiC la structure est formée. Lorsque le réarrangement d'atomes dans plus de deux bicouches de surface Si – C, sauf le cas de cinq bicouches de surface Si – C, est autorisé, la structure 6H-SiC est formée, qui est également présentée comme étant la structure d'état fondamental. Lorsque le réarrangement d'atomes dans des bicouches de Si – C à cinq surfaces est autorisé, la structure de 15R-SiC est formée. Ainsi, la phase 3C-SiC se développerait par épitaxie à basse température, la phase 4H-SiC se développerait par épitaxie à une température intermédiaire et 6H-SiC ou les phases 15R-SiC se développent par épitaxie à une température plus élevée.

source: iopscience

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