maison / nouvelles /

intégration inp-dhbt sur l'intégration de sige-bicmos au moyen d'une liaison de plaquettes à base de benzocyclobutène pour circuits à ondes millimétriques

nouvelles

intégration inp-dhbt sur l'intégration de sige-bicmos au moyen d'une liaison de plaquettes à base de benzocyclobutène pour circuits à ondes millimétriques

2017-09-26

points forts

• un schéma de fabrication pour les circuits hétérogènes si-à-inp au niveau des plaquettes est décrit.

• précision de l'alignement wafer-to-wafer meilleure que 4-8 μm après collage obtenu.

• interconnexions avec une excellente performance jusqu'à 220 ghz démontré.

• barrière de palladium nécessaire en combinant la technologie à base d'aluminium avec une technologie à base d'or.


abstrait

Afin de bénéficier des propriétés matérielles des technologies inp-hbt et sige-bicmos, nous avons utilisé un schéma d'intégration tridimensionnel (3d) à base de benzocyclobutène (bcb). un procédé de fabrication de plaquettes monolithiques basé sur la technologie de transfert-substrat a été développé, permettant la réalisation de circuits haute fréquence complexes et hétéro-intégrés. les interconnexions verticales miniaturisées (vias) avec une faible perte d'insertion et d'excellentes propriétés à large bande permettent une transition sans rupture entre les sous-circuits inp et bicmos.

Résumé graphique

Full-size image (33 K)



mots clés

transistors bipolaires à hétérojonction; le phosphure d'indium; circuits intégrés monolithiques; circuits intégrés tridimensionnels; liaison de plaquette; intégration d'échelle de plaquette


source: sciencedirect


Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: www.powerwaywafer.com ,

envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com


Contactez nous

Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.
   
Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.