points forts

• un schéma de fabrication pour les circuits hétérogènes si-à-inp au niveau des plaquettes est décrit.

• précision de l'alignement wafer-to-wafer meilleure que 4-8 μm après collage obtenu.

• interconnexions avec une excellente performance jusqu'à 220 ghz démontré.

• barrière de palladium nécessaire en combinant la technologie à base d'aluminium avec une technologie à base d'or.

abstrait

Afin de bénéficier des propriétés matérielles des technologies inp-hbt et sige-bicmos, nous avons utilisé un schéma d'intégration tridimensionnel (3d) à base de benzocyclobutène (bcb). un procédé de fabrication de plaquettes monolithiques basé sur la technologie de transfert-substrat a été développé, permettant la réalisation de circuits haute fréquence complexes et hétéro-intégrés. les interconnexions verticales miniaturisées (vias) avec une faible perte d'insertion et d'excellentes propriétés à large bande permettent une transition sans rupture entre les sous-circuits inp et bicmos.

Résumé graphique

mots clés

transistors bipolaires à hétérojonction; le phosphure d'indium; circuits intégrés monolithiques; circuits intégrés tridimensionnels; liaison de plaquette; intégration d'échelle de plaquette

source: sciencedirect

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