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  • gan on silicon

    substrat de gan autoportant

    pam-xiamen a établi la technologie de fabrication de la plaquette de substrat gan (nitrure de gallium) autoportante, qui est pour uhb-led et ld. développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur (hvpe), notre substrat gan a une faible densité de défauts.

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  • GaAs crystal

    galettes de gaas (arséniure de gallium)

    pwam développe et fabrique des substrats semi-conducteurs composés de cristaux d'arséniure de gallium et wafer.we a utilisé une technologie avancée de croissance cristalline, congélation verticale gradient (vgf) et gaas gaufrage technologie de traitement, établi une ligne de production de croissance de cristal, de coupe, de broyage à polissage une salle blanche de 100 classes pour le nettoyage et l'emballage des plaquettes. Notre gaufrette Gaa comprend des lingots / plaquettes de 2 à 6 pouces pour les applications LED, LD et microélectroniques. Nous sommes toujours dédiés à l'amélioration de la qualité des substrats actuels et au développement de substrats de grande taille.

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  • InP substrate

    plaquette inp

    xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100).

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  • GaSb substrate

    plaquette gasb

    xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100)

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  • GaP substrate

    tranche d'espace

    Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).

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